Fotodiodu

Fotodiodu
	;
Símbolu electrónicu
Terminales	ÁnoduyCátodu
	[editar datos en Wikidata]

Unfotodioduye unsemiconductorconstruyíu con unaunión PN,sensible a la incidencia de lalluz visibleoinfrarroxa.Por que el so funcionamientu seya correutu polarízase inversamente, colo que se va producir una cierta circulación de corriente cuando seya escitáu pola lluz. Por cuenta de la so construcción, los fotodiodos pórtense comocélules fotovoltaiques,esto ye, allumaos n'ausencia d'una fonte esterior d'enerxía xeneren una corriente bien pequeña col positivu nelánoduy el negativu nelcátodu.

Principiu d'operación

Un fotodiodu ye unaunión PNo estructura P-I-N. Cuando un fexe de lluz d'abonda enerxía incide nel diodu, escita un electrón dándo-y movimientu y crea un buecu con carga positiva. Si l'absorción asocede na zona d'escosamientu de la unión, o a una distancia d'espardimientu d'él, esti portadores son retiraos de la unión pel campu de la zona d'escosamientu, produciendo una fotocorriente.

Los diodos tienen un sentíu normal de circulación de corriente, que se llama polarización direuta. Nesi sentíu'l diodu dexa pasar la corriente llétrica y práuticamente nun lo dexa nel inversu. Nel fotodiodu la corriente (que varia colos cambeos de la lluz) ye la que circula en sentíu inversu al dexáu pola juntura del diodu. Esto ye, pal so funcionamientu'l fotodiodu ye polarizáu de manera inversa. va producise un aumentu de la circulación de corriente cuando'l diodu ye escitáu pola lluz. N'ausencia de lluz la corriente presente ye bien pequeña y recibe el nome decorriente d'escuridá.

Fotodiodos d'ábanuTienen una estructura similar, pero trabayen con voltaxes inversos mayores. Esto dexa a los portadores de carga fotogenerados ser multiplicaos na zona d'ábanu del diodu, resultando nuna ganancia interna, qu'amonta la respuesta del dispositivu. Tou esto básase nel manual del fabricante.

Composición

El material emplegáu na composición d'un fotodiodu ye un factor críticu pa definir les sos propiedaes. Suelen tar compuestos desiliciu,sensible a la lluz visible (llonxitú d'ondad'hasta 1µm);xermaniuparalluz infrarroxo(llonxitú d'onda hasta aprox. 1,8 µm ); o de cualesquier otru materialsemiconductor.

Material	Llonxitú d'onda (nm)
Siliciu	190–1100
Xermaniu	800–1900
Indiu galio arsénicu(InGaAs)	800–2600
sulfuru de plomu	<1000-3900

Tamién ye posible la fabricación de fotodiodos pal so usu nel campu de los infrarroxos medios (llonxitú d'onda ente 5 y 20 µm), pero estos riquen refrigeración pornitróxenulíquidu.

D'antiguo fabricábenseexposímetroscon un fotodiodu deseleniud'una superficie amplia.

Usu

A diferencia delLDR,el fotodiodu respuende a los cambeos d'escuridá a llume y viceversa con muncha más velocidá, y puede utilizase en circuitos con tiempu de respuesta más pequeñu.
Usar n'el llectores de CD, recuperando la información grabada nel riegu del Cd tresformando la lluz del fai láser reflexada nel mesmu n'impulsos llétricos pa ser procesaos pol sistema y llograr como resultáu los datos grabaos.
Usaos en fibra óptica

Investigación

La investigación a nivel mundial nesti campu céntrase (en redol a 2005) especialmente nel desenvolvimientu decélules solareseconómiques, miniaturización y meyora de los sensoresCCDyCMOS,lo mesmo que de fotodiodos más rápidos y sensibles pal so usu en telecomunicaciones confibra óptica.

Dende 2005 esisten tamién semiconductoresorgánicus.La empresaNANOIDENT Technologiesfoi la primera nel mundu en desenvolver unfotodetector orgánicu,basáu enfotodiodos orgánicos.

Ver tamién

Referencies

Enllaces esternos

unicrom /Tut_fotodiodo
platea.pntic.mec.es/~lmarti2/opto2 Archiváu2018-06-17 enWayback Machine
robots-arxentina.ar/Sensores_fotodiodos.htm
servisystem.ar/tutorial/audiu/cd/fotodiodos.html(enllaz rotudisponible n'Internet Archive;ver l'historialy laúltima versión).