Tôn tiệp
Bắc kinh công nghiệp đại học giáo thụ
Triển khai20 cá đồng danh từ điều
Tôn tiệp:Bắc kinh công nghiệp đại họcGiáo thụ, bác sĩ sinh đạo sư. Tảo kỳ tòng sự nghiên cứu bao quát: 1 hóa học dịch tương điến tích pháp chế bị khuê sấn để thượng đích dưỡng hóa khuê, dưỡng hóa lữ bạc mô; 2 dịch tương ngoại diên pháp sinh trường lữ gia thân vi tham tiêm; 3Phân tử thúc ngoại diênSinh trường đê mật độ tự tổ chức nhân thân / gia thân, nhân thân / lữ thân lượng tử điểm cập kỳ quang học tính chất.
- Trung văn danh
- Tôn tiệp
- Học vị / học lịch
- Bác sĩ
- Chức nghiệp
- Giáo sư
- Chuyên nghiệp phương hướng
- Hóa học khí tương điến tích pháp chế bị đại diện tích thạch mặc hi tài liêu
- Công tác đan vị
- Bắc kinh công nghiệp đại học
Tảo kỳ tòng sự nghiên cứu bao quát: 1 hóa học dịch tương điến tích pháp chế bị khuê sấn để thượng đích dưỡng hóa khuê, dưỡng hóa lữ bạc mô; 2 dịch tương ngoại diên pháp sinh trường lữ gia thân vi tham tiêm; 3Phân tử thúc ngoại diênSinh trường đê mật độ tự tổ chức nhân thân / gia thân, nhân thân / lữ thân lượng tử điểm cập kỳ quang học tính chất; 4 bán đạo thể lượng tử điểm cộng chấn toại xuyên nhị cực quản; 5 nhân lân cơ tam đoan đạn đạo kết khí kiện cập kỳ tại hỗn tần, giám tương trung đích ứng dụng; 6 tập thành bình diện nội sách tinh thể quản tạiRS xúc phát khíTrung đích ứng dụng; 7 tập thành tam đoan đạn đạo kết tại RS xúc phát khí trung đích ứng dụng; 8 sách khống lưỡng duy điện tử khí lượng tử điểm ( đan điểm, song điểm ) tạiĐan điện tử tinh thể quảnCập điện hà kiểm trắc trung đích ứng dụng; 9 nguyên tử tằng điến thiết lan thỉnh tích cao k dưỡng hóa cáp bạc mô cập kỳ tại lân hóa nhân sấn để thượng chế bị đích ức sát dự phán trở khí, ức dung khí.
Nghiên cứu phương hướng vi: 1 hóa học khí tương điến tích pháp chế bị đại diện tích thạch mặc hi tài liêu, bao quát tân hình thôi hóa sinh trường dĩ cập phi thôi hóa sinh trường đẳng; 2 thạch mặc hi tại đạm hóa gia đẳngBán đạo thể tài liêuDĩ cập nhu tính sấn để thượng tố quang điện khí kiện đích thấu minh điện cực ứng dụng; 3 thạch mặc hi tạiNạp mễ điện tử họcTrung đích ứng dụng.[1]
Khoa nghiên thành quả
Phát biểu luận văn, chuyên trứ 60 dư hạng, kỳ trung bị ISI Web of Science thu lục đích 50 dư hạng, h- nhân tử vi 11. Bộ phân thành quả tuyển liệt như hạ:
1.K. Xu, C. Xu, J. Deng, Y. Zhu, W. Guo, M. Mao, L. Zheng, J. Sun, “Graphene transparent electrodes grown by rapid chemical vapor deposition with ultrathin indium ti trụ xạ cầu n oxide contact layers for GaN light emitting diodes”, Applied Physics Letters, 102 (2013) lập tuần ba 162102.
2.C. J. L. de la Rosa, J. Sun, N. Lindvall, M. T. Cole, Y. Nam, M. Löffler, E. Olsson, K. B. K. Teo, A. Yurgens, “Frame assisted H2O electrolysis induced H2 bubbling transfer of large area graphene grown by chemical vapor deposition on Cu”, Applied Physics Letters, 102 (2013) 022101.
3.J. Sun, “A lithographic resist-based simple technology for high yield m cảnh mạt khuyến nhiệt icrofabrication of air bridges”, Journal of Microelectromechanical Systems, 21 (2012) 1285.
4.J. Sun, M. T. Cole, N. Lindvall, K. B. K. Teo, A. Yurgens, “Noncatalytic chemical vapor deposition of graphene on high-temperature substrates for transparent electrodes”, Applied Physics Letters, 100 (2012) 022102.
5.J. D. Buron, D. H. Petersen, P. Bøggild, D. G. Cooke, M. Hilke, J. Sun, E. Whiteway, P. F. Nielsen, O. Hansen, A. Yurgens, P. U. Jepsen, “Graphene conductance uniformity mapping”, Nano Letters, 12 (2012) 5074.
6.J. Sun, N. Lindvall, M. T. Cole, K. T. T. Angel, T. Wang, K. B. K. Teo, D. H. C. Chua, J. Liu, A. Yurgens, “Low partial pressure chemical vapor deposition of graphene on copper”, IEEE Transactions on Nanotechnology 11 (2012) 255.
7.Y. F. Fu, B. Carlberg, N. Lindahl, N. Lindvall, J. Bielecki, A. Matic, Y. X. Song, Z. L. Hu, Z. H. Lai, L. L. Ye, J. Sun, Y. H. Zhang, Y. Zhang, J. Liu, “Templated growth of covalently bonded three-dimensional carbon nanotube networks originated from graphene”, Advanced Materials 24 (2012) 1576.
8.J. Sun, N. Lindvall, M. T. Cole, K. B. K. Teo, A. Yurgens, “Large-area uniform graphene-like thin films grown by chemical vapor deposition directly on silicon nitride”, Applied Physics Letters, 98 (2011) 252107.
9.J. Sun, E. Li cảnh toàn nd, I. Maximov, H. Q. Xu, “Memristive and memcapacitive phủ câu khí characteris luyện hung tics of a Au/Ti-HfO2-InP/InGaAs Diode”, IEEE Electron Device Letters, 32 (2011) 131.
10.J. Sun, D. Wallin, I. Maximov, H. Q. Xu, “A novel SR latch device realized by integration of three-terminal ballistic junctions in InGaAs/InP”, IEEE Electron Device Letters 29 (2008) 540.
Yêu thỉnh báo cáo tuyển liệt
1. 2011 niên 3 nguyệt 2 nhật, ứng đan mạch kỹ thuật đại học Peter Bøggild giáo thụ yêu thỉnh phó đan mạch tố “Copper catalyzed chemical vapor deposition of graphene” đích chuyên tràng báo cáo, cấp biệt vi Nanotech Institute Colloquium.
2. 2011 niên 5 nguyệt 9 nhật, ứng thủ nhĩ quốc lập đại học Yung Woo Park giáo thụ yêu thỉnh phó hàn quốc tố “Copper catalyzed chemical vapor deposition of graphene” đích báo cáo, cấp biệt vi the International Symposium on Carbon Electronics (ISCE).[1]
