Tập thành môn cực hoán lưu tinh áp quản
Điện lực điện tử khí kiện
Tập thành môn cực hoán lưu tinh áp quản IGCT ( Integrated Gate-Commutated Thyristor ) hữu đích hán gia dã xưng vi GCT ( Gate-Commutated Thyristor ), tức môn cực hoán lưu tinh áp quản, thị 20 thế kỷ 90 niên đại hậu kỳ xuất hiện đích tân hìnhĐiện lực điện tử khí kiện.
- Trung văn danh
- Tập thành môn cực hoán lưu tinh áp quản
- Loại biệt
- Điện lực điện tử khí kiện
Khí kiện điệp tổ tái biện lan khái bối nghênh hí giản giới
Tập thành môn cực hoán lưu tinh áp quản IGCT tương IGBT dữ GTO đích ưu điểm kết hợp khởi lai dự bị hồng tha, kỳ dung lượng dữ GTO tương đương, đãn khai quan tốc độ bỉ GTO khoái 10 phóng thường bội, nhi thả khả dĩ tỉnh khứ GTO sái thể toàn ứng dụng thị bàng đại nhi phục tạp đích hoãn trùng điện lộ, chỉ bất quá kỳ sở nhu đạt viên tổ đích khu động công suất nhưng nhiên ngận đại. Mục tiền, IGCT chính tại dữ IGBT dĩ cập ai đài kỳ tha tân hình khí kiện kích liệt cạnh tranh, thí đồ tối chung thủ đại GTO tại đại công suất tràng hợp đích vị trí.
