Czochralski-Verfahren

Kristallziehanlage nach Czochralski (1956)

Silizium-Einkristall zur Waferherstellung, hergestellt nach dem Czochralski-Verfahren

DasCzochralski-Verfahrenist ein Verfahren derWerkstofftechnikzur Herstellung voneinkristallinenWerkstoffen(Kristallzüchtung). Es ist auch alsTiegelziehverfahren,SchmelztiegelverfahrenoderZiehen aus der Schmelzebekannt. Im Tiegel wird die zu kristallisierende Substanz wenige Grad unter dem Schmelzpunkt gehalten (innerhalb desOstwald-Miers-Bereiches,in dem keine spontane Keimbildung stattfindet). In ihre Oberfläche wird ein Keim (z. B. kleiner Einkristall) der zu züchtenden Substanz eingetaucht. Durch Drehen und langsames Nach-oben-ziehen – ohne dass der Kontakt zu der Schmelze abreißt – wächst das erstarrende Material zu einem Einkristall, der dasKristallgitterdes Keims fortsetzt.

Geschichte

Das Czochralski-Verfahren wurde 1916 im Metall-Labor derAEGvompolnischenChemikerJan Czochralski(1885–1953, 1904–1929 in Deutschland) durch ein Versehen entdeckt: er tauchte seine Schreibfeder in einen Schmelztiegel mit flüssigem Zinn anstatt ins Tintenfass. Daraufhin entwickelte und verbesserte er das Verfahren, wies nach, dass damit Einkristalle hergestellt werden können und benutzte es, um Kristallisationsgeschwindigkeiten abzuschätzen.

Folglich entwickelte in den 1950er JahrenGordon Tealund Kollegen das CZ-Verfahren weiter; der erste hochreineGe-Einkristall wurde damit hergestellt.

Technik

Silicium-Impfkristall, der linke Teil wird in die Schmelze getaucht und dann herausgezogen, die Kerbe rechts dient der mechanischen Halterung

In einemTiegelbefindet sich eine schon gereinigteSchmelzedes gewünschten Materials (beispielsweiseSilicium). Statt hochreinem Material kann je nach angestrebter Verwendung auchvordotiertesMaterial verwendet werden, beispielsweise mit Elementen der III. oder V.HauptgruppedesPeriodensystems,damit es direkt als Basismaterial fürIntegrierte Schaltungeneingesetzt werden kann.

Ein an einem langsam rotierenden Metallstab befestigterImpfkristallwird von oben mit der Spitze in die Schmelze eingetaucht. Der Impfkristall muss am Metallstab exakt mit der gewünschtenKristallorientierungausgerichtet sein, da er die Kristallorientierung des entstehenden Einkristalls vorgibt. Das um nur wenige Millimeter eingetauchte Ende des Impfkristalls muss schmelzen, bis sich eine ganz homogene Grenzschicht zwischen der Schmelze und dem festen Teil des Impfkristalls ergibt. Der Stab mit dem Einkristall wird langsam wieder nach oben gezogen, während die Schmelze an der sich ausbildenden Grenzfläche erstarrt. Durch Variation von Ziehgeschwindigkeit und Temperatur erreicht der wachsende Kristall den gewünschten Durchmesser. Mittels einer geeigneten Regelung kann der Kristalldurchmesser bis zum Ende des Ziehvorgangs sehr genau beibehalten werden.

Die Rotation des Impfkristalls kehrt die Konvektionsrichtung direkt unter dem Impfkristall um und ermöglicht erst dadurch das gerichtete Wachstum des Kristalls. Ohne Rotation würde sich eine "Kristallplatte" auf der kühleren Schmelzenoberfläche bilden.

In einer Verfeinerung des Verfahrens wird direkt nach dem Ansatz am Impfkristall zunächst ein noch dünneres Stück gezogen, um erst danach auf den gewünschten Enddurchmesser zu gehen. An der entstehenden Engstelle sollenVersetzungen,die im Impfkristall noch bestehen konnten, zur Seite hinauswandern. Versetzungen stellen Störungen des einkristallinen Gefüges dar und sind deshalb gerade nicht exakt parallel zur Symmetrieachse ausgerichtet. Beim Ziehen wandern sie also schräg zur Seite, an einer Engstelle dann sogar ganz aus dem Kristall hinaus, so dass der verbleibende Kristall versetzungsfrei wird.

Die alsIngotbezeichnete Kristallsäule kann bis über zwei Meter lang werden. Der derzeitige Standard in der Halbleiterindustrie beträgt 30 cm Durchmesser, woraus 300-mm-Wafer hergestellt werden. Seit 2010 wird bei den Silicium-Einkristallherstellern dieKristallzüchtungfürWafermit einem Durchmesser von 450 mm erprobt.

Das Czochralski-Verfahren

Anwendung

Pseudoquadratische Solarzelle aus monokristallinem Silicium

Mit diesem Verfahren ist die Herstellung von reinen,monokristallinenMaterialien möglich. Es erreicht nicht ganz dieQualitätdesZonenschmelzverfahrens,ist jedoch kostengünstiger. Es werden unter anderem Einkristalle aus Halbleitern wie z. B.Silicium,Metallenwie z. B.Palladium,Platin,GoldundSilber,Salzenwie z. B. Alkalimetallhalogenide,OxideundSilicatewie z. B.Yttrium-Aluminium-GranateundYttrium-Eisen-Granatemit zahlreichen Anwendungsmöglichkeiten vor allem für optische Zwecke (Lasertechnik und Sensorik) mit dieser Methode hergestellt.

Einkristalle aus Silicium werden auf diese Weise in großen Mengen hergestellt. Nach dem Kristallziehen werden sie in dünne Scheiben geschnitten, dieWafergenannt werden. Verwendung finden diese sogenanntenCZ-Wafervor allem bei der Herstellung vonintegrierten Schaltungender Mikroelektronik und in derMikrosystemtechnik.

Für die Verwendung in derPhotovoltaikwerden die Ingots zuerst auf einen pseudoquadratischen Querschnitt zugeschnitten. Daraus entstehen durch Sägen Wafer mit der Form eines Quadrats mit abgerundeten Ecken. Die daraus hergestelltenSolarmodulekönnen dichter mit Solarzellen bestückt werden, so dass weniger Nutzfläche verloren geht. Die pseudoquadratischen Solarwafer stellen somit einen wirtschaftlichen Kompromiss zwischen Flächenausnutzung und bestmöglicher Ausnutzung des ursprünglich runden Ingots dar, bei dem relativ wenig Verschnitt anfällt.

Literatur

• Jürgen Evers,Peter Klüfers,Rudolf Staudigl, Peter Stallhofer:Czochralskis schöpferischer Fehlgriff: ein Meilenstein auf dem Weg in die Gigabit-Ära.In:Angewandte Chemie.Band115,2003,ISSN0044-8249,S.5862–5877,doi:10.1002/ange.200300587.

Weblinks

Commons:Czochralski method– Sammlung von Bildern, Videos und Audiodateien