Eberhard Spenke

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Eberhard Spenke(*5. Dezember1905inBautzen;†24. November1992inErlangen) war ein deutscher Physiker.

Eberhard Spenke studierte an den Universitäten Bonn, Göttingen und Königsberg Physik, die Promotion erfolgte im Jahr 1928. Eberhard Spenke war im Anschluss an seine Studienzeit von 1929 bis 1946 als wissenschaftlicher Mitarbeiter im Berliner Zentrallaboratorium derSiemens & Halske AGtätig. Zusammen mitWalter Schottky(1886–1976) untersuchte er dort die Eigenschaften und Leitungsvorgänge vonHalbleitermaterialien.In den 1930er und 1940er Jahren war Spenke auch an der Entwicklung vonHeißleiternbeteiligt (siehe seine Patente u. a. mit W. Schottky[1][2]). 1944 wurde Spenke der ArbeitsgruppeAkustikunterFriedrich Spandöckzugeordnet.

Nach Kriegsende baute Eberhard Spenke imfränkischenPretzfelddas Halbleiterforschungslaboratorium der Siemens & Halske AG auf. Im Jahr 1954 gelang ihm dort erstmals die Gewinnung vonReinstsiliziumals Ausgangsmaterial für die Produktion elektronischer Bauelemente. Im Oktober 1956 stellte Siemens auf einer Konferenz in Garmisch-Partenkirchen die ersten Silizium-Leistungsgleichrichter mit bislang unerreichten 1000 Volt Sperrspannung und einer maximalen Stromstärke von 200 Ampere vor, die auf einem von Spenke und Mitarbeitern entwickelten Verfahren basierten[3].Aus seiner Arbeitsgruppe gibt es eine Reihe von Patenten zur Herstellung hochreiner Halbleitermaterialien[4]u. a. auch von Spenke selbst zusammen mitHeinrich Welker[5].Eberhard Spenke führte sein Verfahren zur Reinigung und Kristallzüchtung von Silizium bis zur industriellen Reife weiter[6](siehe auchZonenziehverfahren) und gilt so als „Vater der Siliziumhalbleiter “.

Literatur und Quellen

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  1. PatentAT145751:Anordnung zur Verstärkung oder Stabilisierung von Strömen mittels negativer Widerstände.Angemeldet am25. Mai 1936.
  2. PatentDE738988:Verfahren zur Erzielung eines großen Regelbereiches von Heißleitern.Angemeldet am29. März 1934.
  3. PatentDE1208010:Flächenhafter Halbleitergleichrichter.Angemeldet am21. November 1955.
  4. PatentDE1061593:Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials für elektrotechnische Zwecke / Method for production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes.Angemeldet am25. Juni 1956.
  5. PatentDE1197058:Verfahren zur Herstellung einkristalliner flacher Halbleiterkörper / Method of producing crystalline semiconductor material on a dendritic substrate.Angemeldet am2. April 1960.
  6. PatentDE1243641:Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstäben durch Ziehen aus der Schmelze.Angemeldet am12. Dezember 1962.
  7. VDE-Ehrenring.Abgerufen am 31. Januar 2018.