Robert H. Dennard
Robert Heath Dennard(*5. September1932inTerrell,Texas,USA; †23. April2024inCroton-on-Hudson,New York[1]) war einUS-amerikanischerElektroingenieurund Erfinder. Er gilt alsErfinderdes elektronischen SpeicherbausteinsDRAM.
Leben und Werk
[Bearbeiten|Quelltext bearbeiten]Dennard studierteElektrotechnikan derSouthern Methodist UniversityinDallas.Dort erhielt 1954 einenB.S.-und 1956[2]einenM.S.-Abschluss in Elektrotechnik. Danach ging er an dasCarnegie Institute of TechnologyinPittsburgh,Pennsylvania, wo er 1958promovierte(Ph.D.).[3]Anschließend nahm er eine Stelle in der Forschungsabteilung beiInternational Business Machines(IBM) an.
Bei IBM beschäftigte er sich mit der Erforschung neuer Bauelemente und Schaltungen für Logik- und Speicheranwendungen. Zu seinen wichtigsten Beiträgen in diesem Bereich zählt die Erfindung desdynamischen RAMs(DRAM,Dynamic Random Access Memory) im Jahr 1966.[4][5]Die DRAM-Technik war ein großer technologischer Sprung für die elektronische Informationsspeicherung und -verarbeitung. Sie ist bis heute (2010) eine der wichtigsten Komponenten imComputer. Darüber hinaus war er einer der ersten Wissenschaftler, die das enorme Potenzial der Verkleinerung von MOSFETs erkannten. Zusammen mit Kollegen formulierte er 1974 eine „Skalierungs-Theorie “[6][7]fürMOSFET– eineFeldeffekttransistor-Variante. Diese steht in engem Zusammenhang mit demmooreschen Gesetzund der Entwicklung der Mikroelektronik in den letzten Jahrzehnten.
Auszeichnungen und Ehrungen
[Bearbeiten|Quelltext bearbeiten]Im Laufe seines Lebens erhielt Dennard eine Vielzahl von Auszeichnungen und Ehrungen. Zu den wichtigsten gehören:
- Mitglied derNational Academy of Engineering(1984)[8]
- National Medal of Technology(1988)[9],überreicht vom damaligen US-PräsidentRonald Reaganfür seine Arbeit an der dynamischen Speicherzelle (DRAM) mit nur einem Transistor.
- Harvey Prize(1990) vom Technion Institute in Israel
- National Inventors Hall of Fame(1997)
- Mitglied derAmerican Philosophical Society(1997)[10]
- IEEE Edison Medal(2001)[11]
- Benjamin Franklin Medalim Bereich Elektrotechnik (2007)[12]
- IEEE Medal of Honor(2009)
- Charles Stark Draper Prizeder National Academy of Engineering (2009)
- Kyoto-Preis(2013)
- NAS Award for the Industrial Application of Science(2017)
Weblinks
[Bearbeiten|Quelltext bearbeiten]- Robert Dennard.In:IEEE History Center.IEEE, archiviert vomam18. Mai 2006;abgerufen am 1. Mai 2010(englisch).
- Random Access Memory.In:Inventor of the Week Archive.Massachusetts Institute of Technology, März 2000,abgerufen am 1. Mai 2010(englisch).
Einzelnachweise
[Bearbeiten|Quelltext bearbeiten]- ↑https://www.legacy.com/obituaries/name/robert-dennard-obituary?pid=206864297
- ↑Robert Dennard:A design of an electronic analog computer for educational use.1956,OCLC26689446(Master-Arbeit an der Southern Methodist University).
- ↑Robert Dennard:Behavior of the ferroresonant series circuit containing a square-loop reactor.1958,OCLC227253865(Dissertation an der Carnegie Institute of Technology).
- ↑Random Access Memory.In:Inventor of the Week Archive.Massachusetts Institute of Technology, März 2000, archiviert vom(nicht mehr online verfügbar) am15. April 2003;abgerufen am 1. Mai 2010(englisch).
- ↑PatentUS3387286:Field-effect transistor memory.Veröffentlicht am4. Juni 1968,Erfinder: Robert H. Dennard.
- ↑R. H. Dennard, F. H. Gaensslen, H. N. Yu, V. L. Rideout, E. Bassous, A. R. Leblanc:Design of ion-implanted MOSFETs with very small physical dimensions.In:IEEE Journal of Solid State Circuits.SC-9, Nr. 5, 1974, S. 256–268 (PDF,abgerufen am 1. Mai 2010).
- ↑The Impact of Dennard's Scaling Theory.In:IEEE solid-state circuits society news.Band 12, Nr. 1, 2007 (Das ganze Heft beschäftigt sich mehr oder weniger mit dem Thema,PDF,abgerufen am 1. Mai 2010).
- ↑Members: Robert H. Dennard.National Academy of Engineering,abgerufen am 12. Juli 2018.
- ↑National Medal Winner.In:clinton4.nara.gov.White House Millenium Council 2000,abgerufen am 25. November 2014(englisch).
- ↑Member History: Robert H. Dennard.American Philosophical Society,abgerufen am 12. Juli 2018(englisch, mit Kurzbiographie).
- ↑2009 – Robert N. Dennard.IEEE Medal of Honor Recipients, abgerufen am 1. Mai 2010.
- ↑Robert H. Dennard, Ph.D.(vom 12. Oktober 2007 imInternet Archive).Franklin Laureate Database, 2007, abgerufen am 1. Mai 2010.
| Personendaten | |
|---|---|
| NAME | Dennard, Robert H. |
| ALTERNATIVNAMEN | Dennard, Robert Heath (vollständiger Name) |
| KURZBESCHREIBUNG | US-amerikanischer Elektroingenieur und Erfinder |
| GEBURTSDATUM | 5. September 1932 |
| GEBURTSORT | Terrell,Texas,USA |
| STERBEDATUM | 23. April 2024 |
| STERBEORT | Croton-on-Hudson,New York |