Kiletransistor
Kiletransistor(lühend TFT inglise keele sõnadestthin-film transistor) on eritüüpi väljatransistor, täpsemaltisoleeritud paisuga väljatransistor(IGFET ehk MISFET), mida kasutatakse eritivedelkristallkuvarites,igaspildipunktiskolm transistori.
Niisugune transistor saadakse mitmekihilise kilestruktuurina enamasti klaasi pinnal. Kiletransistor erineb tüüpilisest isoleeritud paisuga väljatransistorist (peale kasutatavate materjalide) eelkõige suurepinnalise paisu (Gate) poolest, nii et selle peale mahuvad lätte (Source) ja neelu (Drain)elektroodid.Need on kontaktispooljuhiga(amorfseräniga), mida isoleerib paisustdielektrikukiht.Paisumaterjaliks on peamiseltnanotehnoloogilineindiumtsinkoksiid(ITO), mis tagab paisu läbipaistvuse ja väikesed mõõtmed.
Elektroodide vastastikune paigutus võib olla ka joonisel näidatust erinev: suurepinnaline pais võib olla kõige peal (top-gate), ka võib amorfse räni kiht (joonisel sinine) ulatuda üle lätte ja neelu. Kiletransistori elektroodide mõõtmed on enamasti kümnetes ja sadadesnanomeetrites.
Kiletransistor töötati välja USA firmasRCA Laboratories1960. aastatel Esimene läbipaistev,tsinkoksiidilpõhinev kiletransistor leiutati 2003. aastal.