SDRAM

SODIMM 64 MB SDRAM

SDRAM (engl. Synchronous dynamic random-access memory) on DRAM-muistityyppi, joka esiteltiin esiteltiin 1990-luvun puolivälissä. SDRAM on synkronoitu tietokoneen suorittimen käyttämään kellotaajuuteen, jolla pyritään maksimoimaan suorittimen antamien käskyjen määrä aikajaksoa kohden.

SDRAM esiteltiin vuonna 1996-1997 ja yleistyi nopeasti korvaten aiemmat DRAM-tyypit. Aiemmat muistityypit toimivat asynkronisesti yksi operaatio kerrallaan. SDRAM lisäsi sisäisen jonon toimintoja varten. Myöhemmin SDRAMin korvasi DDR SDRAM.

Muistityypin piirteet

SDRAM vaatii samalla tavalla virkistämistä kuin tavallinenkin DRAM. SDRAM on edeltäjistään poiketen synkronoitu kellosignaaliin, mikä mahdollistaa muistiväylän paremman liukuhihnoittamisen ja siten nopeamman peräkkäisen datansiirron. Hakuaikaa SDRAM ei kuitenkaan paranna, vaan saattaa jopa hiukan huonontaa (koska pitää aina odottaa kellonreunaa ennen kuin muistille voi antaa komentoja). SDRAM pystyy antamaan peräkkäistä dataa ulos peräkkäisinä kellojaksoina. SDRAMit pystyvät siis tyypillisesti antamaan peräkkäisiä data-alkioita ajoituksella 5-1-1-1 eli neljän data-alkion kokoisen välimuistilinjan täyttämiseen kuluu 8 väyläkellojaksoa.

SDRAM-muistien hakuaika ilmoitetaan kellojaksolukemina, eli paljonko aikaa kuluu signaalin jälkeen ennen kuin piiri antaa dataa, tai piirille voidaan antaa seuraava ohjaussignaali.

CAS-latenssi (CL, CAS latency) on kellojaksomäärä jonka kuluttua sarakeosoitteen antamisesta piiri alkaa antaa dataa ulos. Se on tyypillisesti 2 tai 3 kellojaksoa. RAS-To-CAS latency ilmoittaa kellojaksoissa kuinka pian riviosoitteen antamisesta voidaan piirille antaa sarakeosoite. Tyypillisesti tämä latenssi on 2 tai 3 kellojaksoa.

Jos dataa luetaan täysin uudesta osoitteesta, pitää siis odottaa molempien viiveiden summan verran, mutta jos dataa luetaan samalta riviltä, kuin mistä viimeksi luettiin, riittää pelkkä CAS-viive.

SDRAM-muisteja on valmistettu noin 66–200 MHz kellotaajuudella, tosin koneiden keskusmuisteiksi vain 66, 100 ja 133 MHz -standardeilla (alkuperäinen, PC100 ja PC133). Nopeammat ovat olleet erikoismuisteja näytönohjaimiin. Monet muistit pystyivät pienemmällä kellojaksolla toimiessaan pienempiin viiveisiin, muistin CAS-hakuaika 133 MHz:lla saattoi olla 3 kellojaksoa eli 22 ns, mutta 100 MHz:lla 2 kellojaksoa eli 20 ns.

SLDRAM

SLDRAM (engl. Synchronous Link DRAM) oli ehdotettu parannus SDRAM-muistiin, joka kilpaili Rambusin RDRAMin kanssa. SLDRAM käytti multipleksattua väylää tiedon siirtämiseen sen sijaan että pinnit olisi ennalta varattuja.

SLDRAM oli suorituskykyisempi kuin Rambusin RDRAM. SLDRAM:n kehitti 1990-luvulla SLDRAM Consortium (myöhemmin SLDRAM Inc ja Advanced Memory International), joka koostui noin 20 DRAM ja komponenttivalmistajan ryhmästä, joiden tavoitteena oli suunnitella suuren muistikapasiteetin omaava DRAM-piiri mahdollisimman halvalla. Avoimen standardin ansiosta SLDRAM oli halvempaa ja ei vaatinut lisenssimaksuja.

SLDRAM-piirin suunnittelussa hyödynnettiin osaksi vanhaa RAM-teknologiaa, joten sen tuomat uudistukset muistipiireihin eivät olleet aivan niin radikaaleja kuin RDRAM:n. SLDRAM pystyy operoimaan nopeammalla 200 MHz:n väylällä kuin perus-SDRAM. Kuten DDR-SDRAM, tämäkin muisti siirtää kahdesti kellojaksoa kohden. Spesifikaatio vaatii 64-bittistä väylää, joka toimii 200 MHz, 300 MHz tai 400 MHz kellotaajuudella ja tehollinen nopeus on 400 Mt/s, 600 Mt/s tai 800 Mt/s.

Merkittävä puute spesifikaatiosta oli yksittäisten tavujen kirjoituksen puute, koska muisti oli suunniteltu järjestelmiin, joissa on väli- ja ECC-muistia (virhekorjaavaa muistia), jotka kirjoittavat aina välimuistirivin moninkertaisena.

Verrattaessa RDRAM:iin SLDRAM:lla oli monia etuja. Kellotaajuuden ollessa pienempi kuin RDRAM:lla häiriöiden merkitys tuli pienemmäksi ja lisäksi sen viive saatiin pienemmäksi.

Katso myös

• SGRAM
• GDDR SDRAM
• LPDDR