Herbert Kroemer
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Herbert Kroemer,né leàWeimarenAllemagneet mort le[1],est unphysiciengermano-américain.Il est colauréat avecJores Alferovd'une moitié duprix Nobel de physiquede 2000[2].
Biographie
[modifier|modifier le code]Il a obtenu son doctorat dephysique théoriqueen 1952 à l'université de GöttingenenAllemagne,avec une thèse sur les effets d'électrons chauds dans lestransistors,à l'origine d'une carrière dans la recherche dans le domaine de la physique dessemi-conducteurs.
Il a travaillé dans un grand nombre de laboratoires de recherche enAllemagneet auxÉtats-Unis,et a enseigné le génie électrique à l'université du Coloradode 1968 à 1976. Il a rejoint l'université de Californie à Santa Barbaraen 1976, en concentrant son programme de recherche sur des technologies émergentes dans le domaine des composantssemi-conducteurs,plutôt que sur lesilicium.
Herbert Kroemer, qui est membre de l'Académie nationale d'ingénierie américaine, a été le premier à souligner dans les années 1950 les avantages qui pourraient être obtenus dans de nombreuxsemi-conducteurspar l'incorporation d'hétérojonctions.En 1963, il a proposé le concept delaserà double-hétérostructure, un concept primordial dans le domaine des lasers à semi-conducteurs. Kroemer a été un pionnier dans le domaine de l'épitaxie par jet moléculaire(MBE ou EJM), se concentrant sur l'application de cette technologie à de nouveaux matériaux.
Il est colauréat avecJores Alferovd'une moitié duprix Nobel de physiquede 2000 (l'autre moitié a été remise àJack Kilby)« pour des travaux de base dans lestechnologies de l'informationet descommunications[...] pour le développement d’hétérostructures semi-conductrices pour l’électroniquerapide et l’opto-électronique[2]».
En 2010, il est professeur de génie électrique et informatique à l'Université de Californie à Santa Barbara(UCSB)
Notes et références
[modifier|modifier le code]- (en)«Nobel Laureate Herb Kroemer, 1928-2024», surUCSB College of Engineering,(consulté le)
- (en)«for basic work on information and communication technology [...] for developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics»inPersonnel de rédaction, «The Nobel Prize in Physics 2000»,Fondation Nobel,2010. Consulté le 28 juin 2010
Liens externes
[modifier|modifier le code]- (en)Autobiographiesur le site de lafondation Nobel(le bandeau sur la page comprend plusieurs liens relatifs à la remise du prix, dont un document rédigé par la personne lauréate — leNobel Lecture— qui détaille ses apports)
- Ressources relatives à la recherche:
- Notices dans des dictionnaires ou encyclopédies généralistes:
- Naissance en août 1928
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