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Transistor bipolaire à grille isolée

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Symbole usuel de l’IGBT.

Letransistor bipolaire à grille isolée(IGBT,de l’anglaisinsulated-gate bipolar transistor) est un dispositifsemi-conducteurde la famille destransistorsqui est utilisé commeinterrupteurélectronique, principalement dans les montages de l’électronique de puissance.

Ce composant, qui combine les avantages des technologies précédentes — c’est-à-dire la grande simplicité de commande dutransistor à effet de champpar rapport autransistor bipolaire,tout en conservant les faibles pertes parconductionde ce dernier — a permis de nombreux progrès dans les applications de l’électronique de puissance, aussi bien en ce qui concerne lafiabilitéque sur l’aspect économique[1].

Les transistors IGBT ont permis d’envisager des développements jusqu’alors non viables en particulier dans lavitesse variableainsi que dans les applications desmachines électriqueset des convertisseurs de puissance qui nous accompagnent chaque jour et partout, sans que nous en soyons particulièrement conscients:automobiles,trains,métros,bus,avions,bateaux,ascenseurs,électroménager,télévision,domotique,etc.

Historique

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La première tentative concernant ce composant est sa réalisation en composants discrets, avec un transistor à effet de champ de faible puissance commandant un transistor bipolaire de puissance (montage BipMos). Le but est de simplifier les circuits de commande inhérents aux applications des transistors de puissance en commutation, fort complexes dans les années1970-1980.

La technologieIGBTa étébrevetéeaux États-Unis lepar Hans W. Beck et Carl F. Wheatley, Jr., sous le nom dePowerMOSFETwith an Anode Region(Brevetno4,364,073)[2].C’est une technologie récente, qui succède auxthyristors,auxtransistors Darlingtonet auxthyristors GTO[3].

La première génération de transistors IGBT présentait d’importants problèmes deverrouillage (oulatching),qui ont été corrigés dans la deuxième génération apparue au début desannées 1990.La fin duXXesiècle a connu trois nouvelles générations de transistors IGBT, qui ont augmenté les performances pour des courants et des tensions importants (IGBT à structures trench, CSTBT[4]).

Les caractéristiques de l’IGBT font que dans lesannées 2000il s’est largement imposé dans tous les domaines de l’électronique de puissance face aux autres types de composants pour les gammes de tension 600Và 3 300V,et qu’il perce dans les tensions supérieures face auGTO,ainsi que dans les tensions inférieures face auMOSFET,bien qu’il soit plus lent[5].

Caractéristiques

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Schéma équivalent de l’IGBT.

L’IGBT est un transistor hybride, regroupant un transistor à effet de champ du type MOSFET en entrée et un transistor bipolaire en sortie. Il est ainsi commandé par latensionde grille (entregrilleetémetteur) qui lui est appliquée, mais ses caractéristiques de conduction (entrecollecteur et émetteur) sont celles d’un bipolaire. Le schéma équivalent du transistor IGBT ci-contre montre un troisième transistor, qui représente une propriété parasite responsable dulatching.

Cette structure lui donne le faible coût énergétique de commande d’un MOSFET, avec les pertes deconductionplus faibles (à surface de puce donnée) d’un bipolaire. De plus, les IGBT peuvent gérer une tension bien plus élevée que celle gérée par les MOSFET.

Résistance à l'état passant

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La résistance à l'état passant (inverse de laconductance) est définie par la résistance du transistor lorsque celui-ci est en régime de conduction (on dit également « saturé »): appelée aussi RDSondans le cas d’un FET, elle est représentée par le VCEsatpour un bipolaire. C’est une caractéristique importante car elle détermine l’échauffement du composant en fonction du courant Ice:plus le VCEsatest faible, plus le courant admissible peut être fort. Dans le cas de l’IGBT, la résistance à l'état passant est minimisée par l’utilisation d’un transistor bipolaire en sortie et par l’optimisation de la saturation de celui-ci. Pour cela, il est possible de diminuer le RDSondu MOSFET d’entrée, et d’augmenter le gain du transistor bipolaire. Cependant un gain trop important entrainera un risque élevé delatching[6].

Les dernières technologies SPT (Soft-Punch-Through), ditesSPT+,permettent de diminuer encore la chute de tension directe VCEsatde l’ordre de 25 à 30 %.

Transconductance

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Latransconductanced’un IGBT est le rapport entre le courant de sortie et la tension d’entrée. Ce rapport dépend de nombreux paramètres, notamment la taille du transistor, la température ou le courant de sortie. Contrairement aux transistors bipolaires, les MOSFET et les IGBT n’ont pas un gain de transconductance qui chute avec le courant de sortie.

Commutation

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La faiblesse de l’IGBT (comparé au MOSFET) résulte essentiellement dans sa vitesse de commutation, notamment lors du passage de l’état passant à l’état bloqué: les «trous» présents dans la « zone d’épitaxie N- » (Drift zone) doivent se recombiner ou être évacués lorsque la tension de la grille passe en dessous du seuil de commutation. La technologie PT possède une zone tampon (buffer) à proximité de la zone dedriftpour accélérer l’absorption des trous. Les transistors IGBT-PT seront donc plus rapides, mais auront une tension VCEsatplus élevée[7].

Les fréquences de commutation maximales peuvent être notablement augmentées par l’utilisation de « circuits d’aide à la commutation » passifs (dissipatifs), mais surtout actifs (non dissipatifs), de type « ZVS » (Zero Voltage Switch,commutation au zéro de tension), « ZCS » (Zero Current Switch,commutation au zéro de courant) ou autres. Ces circuits, en assurant des « commutations douces », permettent une diminution drastique des pertes de commutation, tout en facilitant grandement la mise en conformité des équipements concernant lacompatibilité électromagnétique.Néanmoins, du fait de leur complexité et de leur coût, ils sont encore peu utilisés dans les fortes puissances.

Verrouillage (Latching)

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L’IGBT présente quatre couches N-P-N-P qui peuvent sous certaines conditions devenir passantes à la manière d’un thyristor, du fait de la présence du transistor parasite entre émetteur et base du transistor bipolaire principal (voir le schéma équivalent ci-dessus): c’est l’effetlatch-up(verrouillage). Dans ces conditions le transistor restera passant, avec effets destructifs, jusqu’à ce que l’alimentation soit coupée[6].Les constructeurs sont parvenus à diminuer ce problème majeur du transistor IGBT, et ce de différentes manières: réduction de latransconductancedu transistor bipolaire de sortie, utilisation de nouvelles techniques de gravure comme l’IGBT Trench. Ces évolutions, ainsi que l’amélioration des processus de commande de grille, font que le phénomène de verrouillage est actuellement bien maîtrisé et ne pose plus de problèmes au développement de l’utilisation industrielle de l’IGBT.

Aire de sécurité

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Exemple d'aire de sécurité.

L’aire de sécurité ou « zone de fonctionnement sûr » ou SOA (sigle anglais pourSafe Operating Area) désigne les zones de fonctionnement autorisées du transistor dans le plancourant-tension.Dans ces zones, le transistor peut travailler sans subir de dommages dans les périodes où à la fois un courant important traverse le semi-conducteur et une tension importante est présente à ses bornes, c’est-à-dire en dehors du fonctionnement « saturé » (conducteur et faible chute de tension). Dans tous les cas ces zones de fonctionnement ne peuvent être que transitoires, car les puissances dissipées en valeurs instantanées sont de plusieurs ordres de grandeur au-dessus de la puissance admissible nominale du composant. On distingue trois phases critiques:

  1. Lecourt-circuit.Il s’agit de la zone dite de SCSOA (pourShort Circuit SOA) ou aire de sécurité de court-circuit. Lorsque la charge commandée par le transistor est en court-circuit, le courant demandé est en théorie infini. En pratique, le courant ICEdans le transistor est limité par la tension VGEsur la grille et la valeur de latransconductance,ainsi que par le circuit extérieur. Le risque pour l’IGBT est alors le verrouillage (latching). Suivant la famille utilisée ce risque est minimisé au détriment de la transconductance ou du VCEsat.Certains IGBT ont un circuit interne de limitation ducourant de court-circuità quelques multiples du courant nominal;
  2. La commutation ON → OFF avec une charge inductive. Il s’agit de la zone dite deRBSOA(pourReverse Bias SOA) ou aire de sécurité inverse. Lors de cette phase de transition on passe d’un état où un courant stable (et important) ICEest établi dans la charge et dans le transistor, à un état où le transistor est bloqué. La tension VCEcroit alors de quelques volts à la tension d’alimentation augmentée de laFCEMde la charge inductive. Cette FCEM doit être limitée, par exemple, par une diode dite de « roue libre » à ses bornes. Durant cette phase le courant est constant — car lorsque la charge estinductive,elle tend à s’opposer à la variation de courant — ceci jusqu’à la fin de la recombinaison desporteurset au blocage de la jonction par augmentation de labarrière de potentiel.Il s’ensuit un risque de « claquage » du composant par formation de points chauds localisés et emballement thermique; ce phénomène est connu pour les transistors bipolaires de puissance sous le nom de « second claquage » (Second Break Downen anglais). Les IGBT sont cependant beaucoup plus robustes que les bipolaires pour la tenue en aire de sécurité inverse. Des circuits d’aide à la commutation au blocage, en dérivant le courant de la charge inductive (dans un condensateur auxiliaire par exemple) pendant la période de blocage autorisent une commutation à pertes quasi-nulles pour le silicium et évitent le risque de second claquage;
  3. L’utilisation du transistor en mode linéaire. L’étude de cette phase présente un intérêt plus limité, car ce n’est pas le mode de fonctionnement usuel de l’IGBT. Une attention particulière sur ce mode de fonctionnement est cependant nécessaire lors de la mise en œuvre des circuits de protection du composant contre les courts-circuits.

Performances

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Le tableau suivant montre les performances typiques de quelques produits du marché des transistors.

Il dégage la tendance générale:

  • le VCEsataugmente et la fréquence d’utilisation diminue quand la tenue en tension augmente;
  • les MOSFET et les GTO deviennent concurrentiels aux extrémités de la gamme.
Caractéristiques moyennes comparées
MOSFET 600 V IGBT 600 V IGBT 1700 V IGBT 3300 V IGBT 6500 V GTO 6000 V
VCEsat[a]à125°C 2,2 V 1,8 V 2,5 V 3,5 V 5,3 V 3 V
fréquencetypique[b] 15-100 kHz 6-40 kHz 3-10 kHz 1-5 kHz 0,8-2 kHz 0,3-1 kHz

Des produits de certains fabricants peuvent s’écarter significativement des valeurs mentionnées car relevant d’optimisations différentes (améliorant l’un des paramètres au détriment de l’autre) ou utilisant des techniques très récentes.

Structure

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Vue en coupe d’une cellule élémentaire (planar,PT).

La structure d’un IGBT est basée sur celle d’unMOSFET vertical doublement diffusé[8]:l’épaisseur du support est utilisée pour séparer ledrain de la source.Les épaisseurs typiques deswaferssont de l'ordre de 70 à 100µm.Une zone dite d'épitaxie,dopée N-, permet l'apparition d'un canal lorsque des électrons sont injectés par la grille (VG>0, état passant).

La technique de doublediffusionest utilisée pour créer les puits dopés P/P+ à proximité de la source. La présence d'une région dopée P+ diminue le risque delatchup,tout en augmentant la tension de seuil de commutation.

La différence principale entre un MOSFET vertical et un IGBT est l’existence d’une couche desubstratP+ (fortementdopée) côté drain/collecteur. Cette couche injecte des trous dans la couche N-, ce qui a pour effet de diminuer la chute de tension à l’état passant et de le transformer entransistor bipolaire.

À l’état bloqué, c’est la couche N- qui supporte la tension. Cette tension maximale sera d'autant plus importante que la couche N d'épitaxie sera peu dopée et/ou épaisse.

À l'état passant, le courant sera limité par la largeur du canal. Les structures verticales permettent la mise en parallèle de plusieurs cellules élémentaires, de façon à augmenter le courant admissible et diminuer la résistance à l'état passant RDSon.

Les différentes structures d'IGBT

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Vues de sections d'IGBT
Non Punch Through Punch Through Punch Throughen tranchée

L’IGBTNPT(sigle anglais:Non Punch Through) à grille plane est la structure la plus simple à réaliser. Elle utilise des puces plus minces, sans couche N+ additionnelle. La transconductance sera moins élevée, il est donc plus robuste en situation decourt-circuit.

L’IGBTPT(sigle anglais:Punch Through) à grille plane utilise des puces épaisses comportant une couche tampon N+. Il a en principe une chute de tension plus faible à l’état passant.

Cette couche tampon entre la zone d'épitaxie N et la zone d'injection P+ du collecteur permet d'obtenir une distribution du champ électrique trapézoïdal.

On trouve également des transistors dénommés DS-IGBT (pourDepletion StopIGBT), ou FS-IGBT (pourField StopIGBT), qui présentent les mêmes caractéristiques que le PT-IGBT, avec une couche tampon moins dopée. Cela permet d'utiliser les techniques de fabrication plus simples d'un NPT-IGBT.

Les structures précédentes dites à grille plane (en anglais:planar) ont l'avantage d'être faciles à réaliser. Néanmoins une technologie dite de grille en tranchée (en anglais:trench) est également utilisée: la zone d’épitaxieest découpée sous la grille de manière à diminuer les phénomènes delatchinget permettre ainsi des densités de courant plus importantes. Cette géométrie est aussi plus compacte et généralement plus performante que la géométrie à grille plane.

Technologie

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Module IGBT 3 300V1 200A.
Intérieur d'un module IGBT600 V400A.

Les IGBT sont fabriqués avec des techniques similaires à celle des circuits intégrés (comme lesMOSFET,mais contrairement auxGTOetthyristorsde puissance). Ceci a pour conséquence que la taille de lapuceest limitée à environ 1cm2,alors qu’on sait faire desdiodesmonolithiques de 150mmde diamètre (176cm2)[c].

Les gros IGBT sont donc desmodules multi-puces,constitués de nombreuses puces en parallèle, généralementbraséessur une semelle decuivreou d’Al-SiCà travers laquelle on assure leurrefroidissement.La plupart intègrent aussi une diode anti-parallèle (ou de « roue-libre »), elle-même multi-puces. Cette diode est une partie très importante du module IGBT, car ses caractéristiques (en particulier de recouvrement) doivent être compatibles avec l’IGBT lui-même, nécessité cruciale. Cela représente d’ailleurs une des premières applications pour les semi-conducteurs encarbure de silicium[9].

La technologie RC IGBT (reverse conductionIGBT) intègre la diode de roue libre à l'IGBT. L'avantage de cette configuration par rapport à deux éléments séparés est de permettre d'avoir une densité de puissance plus importante et de disposer d'une diode ayant le même courant nominal que l'IGBT, les deux éléments utilisant la même zone semiconductrice. Par contre, la diode étant optimisée pour une chute de tension faible en conduction et non pour un temps de recouvrement minimal, cette configuration ne peut être employée qu'avec une commutation douce[10].

On trouve principalement des IGBT « canal N ». La structure complémentaire « canal P » est possible, mais limitée aux petites puissances, car comme pour les transistors bipolaires et les MOSFET, les caractéristiques obtenues sont moins bonnes (pertes supérieures par exemple).

Ces composants sont disponibles pratiquement dans tous les boîtiers courants, depuis le petit boîtier plastique (TO-220) pour des courants de quelquesampèresà quelques dizaines d’ampères et des tensions collecteur-émetteur de 600 à 1 500 volts, jusqu’aux modules de forte puissance de quelques centaines d’ampères et quelqueskilovolts.On trouve aussi des IGBT en boîtierpress pack,encapsulation déjà utilisée pour certainsthyristors,avec les avantages que cela comporte[11].

Gammes et usages

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Ces composants sont disponibles dans une gamme detensionallant de 600 (et moins) à 6 500volts,et descourantsjusqu’à 2 400ampèrespar module. Les valeurs de tension les plus courantes sont:

  • 600V:valeur adaptée à la connexion sur un réseau 230Valternatif;
  • 1 200V:valeur adaptée à la connexion sur un réseau 400Valternatif;
  • 1 700V:valeur adaptée à la connexion sur un réseau 660Valternatif;
  • 3 300V:valeur utilisée entraction ferroviaire1 500Vcontinu;
  • 6 500V:valeur utilisée en traction ferroviaire 3 000Vcontinu.

Applications

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Les applications usuelles de l’IGBT sont lesonduleurs,redresseursethacheurspour lesalimentations à découpageet lavitesse variable,mais aussi pour lesFACTS.

Exemples

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  • Les IGBT sont utilisés comme éléments de puissance dans les convertisseurs de traction duTGV,sur les versions les plus modernes équipées demoteurs synchronesouasynchrones,ainsi que dans la plupart des convertisseurs auxiliaires (éclairage, ventilation,etc.). La tendance est à la généralisation des IGBT sur ce marché[12].
  • La technologie IGBT est exploitée dans lesémetteursondes décamétriquesdéveloppés parThomcast(série TSW2500) àtétrodefinaleHF[13],[14].Les modules IGBT constituent l’étage demodulation AMdont le but est d’effectuer une superposition du signal audio sur la tension d’alimentation de latétrodefinale HF de puissance. Des émetteurs de ce type sont installés sur le site deTDFd’Issoudunqui assure la radiodiffusion, entre autres, deRFI(puissance unitaire de 500kWassociée à une antenne ALLISS)[15].
  • Ils sont également utilisés dans les variateurs-onduleurs de commande des moteurs électriques despods,propulseursdes navires les plus récents comme leQueen Mary 2.
  • L’utilisation des IGBT se développe dans le secteur automobile pour lesvéhicules électriqueset en particulier pour les voitures dites hybrides comme par exemple laToyota Prius,dont la partie électrique de la chaîne de traction comprend deux moteurs électriques sans balais commandés par un onduleur de 50kWà IGBT.
  • Lesballasts électroniquesde forte puissance (jusqu’à 24kW)[16]pour lampes à décharges halogènes comme les lampes HMI (Hydrargyrum medium-arc iodide lamp) utilisées dans les projecteurs professionnels de spectacle incorporent des IGBT dans leurs étages de puissance. Le fonctionnement de l’ensemble devant être inaudible, l’encombrement réduit et la compatibilité électromagnétique maximum, cette application particulière requiert un fonctionnement à des fréquences de découpages supérieures à 20kHzet l’emploi impératif de circuits d’aide à la commutation non dissipatifs.
  • Ces transistors sont utilisés dans lechauffage par induction.

L’IGBT est utilisé presque exclusivement en commutation, c’est-à-dire quand seuls les états saturés et bloqués sont souhaitables. Néanmoins, comme tout transistor, il possède une zone de fonctionnement « linéaire », ou active, qui peut être utilisée pour des applications particulières (amplificateurs,etc.).

Principaux fabricants

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Notes et références

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Notes

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  1. ↑VCEsat= tension collecteur-émetteur à l’état saturé. Les valeurs données sont des moyennes des valeurs annoncées par différents fabricants.
  2. ↑Fréquence typique de commutation dans les applications courantes.
  3. ↑Les produits commerciaux se limitent le plus souvent à 100mmde diamètre, comme leT3101N[PDF]d'Infineon (pour la puce: le boîtier fait 150mm).

Références

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  1. ↑(en)«IGBTs Basics», Power Designers.
  2. ↑(en)University of Maryland - C. Frank Wheatley, Jr., BSEE,etle brevetsur le site de l’USPTO.
  3. ↑(en)Application Note 9016,Fairchild.
  4. ↑(en)Next Generation High Power Dual IGBT Module- Mitsubishi (2003)[PDF].
  5. ↑(en)Worldwide Market Statistics and Trends,Darnell Group (un cabinet d’études de marché en électronique de puissance).
  6. ↑aetb(en)Application Note AN-983de la société IRF(1996).
  7. ↑(en)Trench IGBTs Improve Appliance Motor Drives-Power Electronics Technology(août 2006).
  8. ↑(en)The Insulated Gate Bipolar Transistor,Device Modelling Group, université deGlasgow.
  9. ↑Cree associe IGBT et diode SiC,Électronique international.
  10. ↑(en)Thomas Kimmer,«Reverse Conduction IGBT for Inductive Heating»[archive du][PDF],Infineon Technologies,(consulté le).
  11. ↑(en)Stefan Kaufmann, Thomas Lang and Rahul Chokhawala,Innovative Press Pack Modules for High Power IGBTs,ABB Semiconductors AG[PDF],5scomponents.com, consulté le 7 juillet 2012.
  12. ↑Part de marché supérieure à 50 % d’après(en)IGBT,UICetDeutsche Bahn.
  13. ↑«THALES TSW 2500», surtransmitter.be,Broadcast Belgium(consulté le).
  14. ↑«THOMSON TSW 2500 D», surtransmitter.be,Broadcast Belgium(consulté le).
  15. ↑Guy Pellet,« Émetteurs ondes courtes de radiodiffusion 250 kW »,Techniques de l'ingénieur,référence E6115, 10 novembre 1998, surtechniques-ingenieur.fret surcat.inist.fr[aperçu en ligne sur books.google.fr(page consultée le 3 décembre 2012)].
  16. ↑(en)« Article: 24kWSingle Source, HMI Type Discharge Light Arrive »,PR Newswire,Sun Valley, Californie,.

Liens externes

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