Hiroshi Amano

Hiroshi Amano

Nome orixinal	(ja)Thiên dã hạo
Biografía
Nacemento	11 de setembro de 1960(63 anos) Hamamatsu, Xapón
Datos persoais
País de nacionalidade	Xapón
Educación	Universidade de Nagoia(–1988) Shizuoka Prefectural Hamamatsu Nishi High School(en) Hamamatsu City Shijimizuka Junior High School(en)
Director de tese	Osamu Akasaki
Actividade
Campo de traballo	Físico
Ocupación	físico,profesor universitario,enxeñeiro
Empregador	Universidade de Nagoia,catedrático(2010–2015) Meijo University(en)(2002–2010) Meijo University(en)(1992–1998) Universidade de Nagoia,research associate(en)(1988–1992)
Profesores	Osamu Akasaki
Lingua	Lingua xaponesa
Premios (2014)Premio Nobel de Física (2014)Persoa de Mérito Cultural (2014)Orde da Cultura doutor honoris causa pola Universidade de Padua

Hiroshi Amano(Thiên dã hạo,Amano Hiroshi),nado enHamamatsu,o11 de setembrode1960,é unfísico,enxeñeiroe inventorxaponésespecializado no eido da tecnoloxía dossemicondutores.Polo seu traballo foi galardoado coPremio Nobel de Físicade 2014, xunto conIsamu AkasakieShuji Nakamurapola "invención dediodos emisores de luzazuis eficientes permitiron fontes de luz branca brillantes e que aforran enerxía ".

Publicacións escollidas

• Amano, H.; Sawaki, N.; Akasaki, I.; Toyoda, Y. (1986-02-03). "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer".Applied Physics Letters(AIP Publishing)48(5): 353–355.Bibcode:1986ApPhL..48..353A.ISSN0003-6951.doi:10.1063/1.96549.
• Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu; Kozawa, Takahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Sawaki, Nobuhiko; Ikeda, Kousuke; Ishii, Yoshikazu (1988)."Electron beam effects on blue luminescence of zinc-doped GaN".Journal of Luminescence(Elsevier BV). 40-41: 121–122.Bibcode:1988JLum...40..121A.ISSN0022-2313.doi:10.1016/0022-2313(88)90117-2.
• Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (1989-12-20). "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)".Japanese Journal of Applied Physics(Japan Society of Applied Physics)28(Part 2, No. 12): L2112–L2114.Bibcode:1989JaJAP..28L2112A.ISSN0021-4922.doi:10.1143/jjap.28.l2112.
• Murakami, Hiroshi; Asahi, Tsunemori; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa; Sawaki, Nobuhiko; Akasaki, Isamu (1991). "Growth of Si-doped Al_xGa_1–xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy ".Journal of Crystal Growth(Elsevier BV)115(1–4): 648–651.Bibcode:1991JCrGr.115..648M.ISSN0022-0248.doi:10.1016/0022-0248(91)90820-u.
• Itoh, Kenji; Kawamoto, Takeshi; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (1991-09-15). "Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures".Japanese Journal of Applied Physics(Japan Society of Applied Physics)30(Part 1, No. 9A): 1924–1927.Bibcode:1991JaJAP..30.1924I.ISSN0021-4922.doi:10.1143/jjap.30.1924.
• I. Akasaki, H. Amano, K. Itoh, N. Koide & K. Manabe, Int. Phys. Conf. Ser. 129, 851 (1992).
• Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Sota, Shigetoshi; Sakai, Hiromitsu; Tanaka, Toshiyuki; Koike, Masayoshi (1995-11-01). "Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device".Japanese Journal of Applied Physics(Japan Society of Applied Physics)34(11B): L1517.ISSN0021-4922.doi:10.7567/jjap.34.l1517.

Véxase tamén

Ligazóns externas

• Ficha en Nobelprize.org(eninglés)