Leo Esaki
| ||||||||||||
|
Reona Esaki(japāņu:Giang kỳ linh với nại,dzimis1925.gada12. martā), pazīstams arī kāLeo Esaki,irJapānasfiziķis. 1973. gadā kopā arĪvaru JēveruunBraianu DžozefsonuieguvisNobela prēmiju fizikāpar eksperimentāliem atklājumiem attiecībā uztuneļefektu.[2]
Agrīnais dzīves posms
[labot šo sadaļu|labot pirmkodu]Esaki dzimis 1925. gada 12. martāJapānas ImpērijasOsakas prefektūrā,Nakakavači apgabalā, Takaidas ciemā (tagad daļa no Higašiosakas pilsētas). Viņš uzaugaKioto,netālu no Kioto Imperiālās universitātes un Došišas universitātes. Mācījās Došišas Junioru augstskolā. Pēc tam studēja fizikuTokijas Imperiālajā universitātē,kur 1944. gada oktobrī apmeklējaHideki Jukavaskodolfizikasteorijas kursu. Studiju laikā viņš pārdzīvojaTokijasbombardēšanu.
Esaki 1947. gadā kļuva par bakalauru (B.Sc.) un 1959. gadā ieguva doktora (Ph.D.) grādu Tokijas Universitātē.
Karjera
[labot šo sadaļu|labot pirmkodu]No 1947. līdz 1960. gadam Esaki strādāja uzņēmumāKawanishi Corporation(tagadDenso Ten) unTokyo Tsushin Kogyo(tagadSony). Tajā laikā amerikāņu fiziķiDžons Bardīns,Volters BrateinsunViljams Šoklijsizgudrojatranzistoru.Tas mudināja Esaki mainīt pētījumu jomu noelektronu lampāmuz leģētugermānijaunsilīcijapētījumiemSony.Gadu vēlāk viņš atklāja, ka, samazinot germānija PN savienojuma platumu, strāvas-sprieguma raksturlīknē dominētuneļefektaietekme un, palielinoties spriegumam, strāva samazinās apgriezti, kas norāda uz negatīvu pretestību. Šis atklājums bija pirmais cietvielu tuneļefekta demonstrējums fizikā, kā rezultātā tika izveidota jauna elektroniskā ierīce izmantošanai elektronikā, ko sauc par Esaki diodi (vaituneļdiodi). Sakarā ar šo atklājumu Esaki 1959. gadā ieguva doktora grāduTokijas Universitātē.
1973. gadā Esaki saņēma Nobela prēmiju fizikā par pētījumiem, kas veikti ap 1958. gadu saistībā ar elektronu tunelēšanu cietās vielās. Viņš kļuva par pirmo Nobela prēmijas laureātu, kuram balvu pasniedza karalisKārlis XVI Gustavs.
Esaki 1960. gadā pārcēlās uzASVun pievienojāsIBMTomasa Vatsona pētījumu centram, kur viņš kļuva par IBM stipendiātu 1967. gadā. Viņš paredzēja, ka tiks veidoti pusvadītāju superrežģi, lai radītu diferenciālu negatīvās pretestības efektu, izmantojot mākslīgi radītas viendimensionālas periodiskās struktūras izmaiņas pusvadītāju kristālos. Esaki unikālo "molekulāro staru epitaksijas" plānslāņa kristālu augšanas metodi var diezgan precīzi izmantot īpaši augstāvakuumā.Viņa pirmais raksts par pusvadītāju superrežģi publicēts 1970. gadā.[3]
1972. gadā Esaki realizēja savu superrežģu koncepciju III-V grupas pusvadītājos, vēlāk šī koncepcija ietekmēja daudzas jomas, piemēram, metālus un magnētiskos materiālus. 1991. gadā Esaki piešķīra IEEE Goda medaļu "par ieguldījumu un vadību tuneļu veidošanā, pusvadītāju superrežģos un kvantu urbumos"[4]un Japānas balva "par cilvēka radītu superrežģa kristālu koncepcijas izveidi un realizāciju jaunu materiālu ģenerēšanai ar noderīgu pielietojumu" 1998. gadā.[1]
1977. gadā Esaki ievēlēja par Nacionālās inženierzinātņu akadēmijas locekli par ieguldījumu pusvadītāju ierīču projektēšanā.
Pēc atgriesanās Japānā
[labot šo sadaļu|labot pirmkodu]Esaki 1992. gadā pārcēlās atpakaļ uz Japānu. Pēc tam viņš bija Cukubas Universitātes un Šibaura Tehnoloģiju institūta prezidents. Kopš 2006. gada viņš ir Jokohamas Farmācijas koledžas prezidents. Esaki ir arī saņēmis Ņujorkas Starptautiskā centra izcilības balvu, Kultūras ordeni (1974) un Uzlecošās saules ordeņa Lielo kordonu (1998).
Godinot trīs Nobela prēmijas laureātu ieguldījumu, 2015. gadā Cukubas pilsētas centrālajā parkā uzstādījaSinitiro Tomonagas,Leo Esaki unMakoto Kobajašibronzas statujas.
PēcJoičiro Nambunāves 2015. gadā Esaki ir vecākais Japānas Nobela prēmijas laureāts.
Viņa meita Ana Esaki ir precējusies ar Kreigu S. Smitu, bijušoThe New York TimesŠanhajasbiroja vadītāju unThe Wall Street JournalĶīnas biroja vadītāju.[5]
Atsauces
[labot šo sadaļu|labot pirmkodu]- ↑1,01,1«The Japan Prize Foundation».japanprize.jp.Skatīts: 2019. gada 9. augusts.
- ↑«The Nobel Prize in Physics 1973».Nobel Foundation.
- ↑Esaki, L.; Tsu, R. (1970)."Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors".IBM Journal of Research and Development14: 61–65.doi:10.1147/rd.141.0061.
- ↑«IEEE Medal of Honor Recipients».Institute of Electrical and Electronics Engineers(IEEE).2015. gada 22. aprīlis. Arhivēts nooriģināla,laiks: 2015. gada 22. aprīlis.Skatīts: 2019. gada 9. augusts.
- ↑«Anna Esaki Wed To Craig S. Smith».The New York Times(en-US). 1990-01-14.ISSN0362-4331.Skatīts:2021-08-19.
Ārējās saites
[labot šo sadaļu|labot pirmkodu]Vikikrātuvēpar šo tēmu ir pieejamimultividesfaili. Skatīt:Leo Esaki.
- Encyclopædia Britannicaraksts(angliski)
- Visuotinė lietuvių enciklopedijaraksts(lietuviski)
- Brockhaus Enzyklopädieraksts(vāciski)
- Krievijas Lielās enciklopēdijas raksts(krieviski)
- Encyclopædia Universalisraksts(franciski)
- Leo Esaki biogrāfija Nobela prēmijas mājaslapā(angliski)
Apbalvojumi | ||
---|---|---|
Priekštecis: Džons Bardīns Leons Kūpers Džons Šrīfers |
Nobela prēmija fizikā 1973. kopā ar Īvaru Jēveru unBraianu Džozefsonu |
Pēctecis: Martins Rails Entonijs Hjūišs |
|