Leo Esaki

Leo Esaki; Giang kỳ linh với nại
Personīgā informācija
Dzimis	1925.gada12. martā(99 gadi); Takaidas ciems, Nakakavači apgabals,Osakas prefektūra,Japānas Impērija
Tautība	japānis
Zinātniskā darbība
Zinātne	cietvielu fizika; pielietojamā fizika
Darba vietas	IBMTomasa Vatsona pētījunu centrs; Sony; Cukubas Universitāte
Alma mater	Tokijas Imperiālā universitāte
Sasniegumi, atklājumi	tuneļefekts; tuneļdiode; superrežģis
Apbalvojumi	Japānas akadēmijas prēmija (1965); Nobela prēmija fizikā(1973); IEEE goda medaļa (1991); Japānas balva (1998)

Reona Esaki(japāņu:Giang kỳ linh với nại,dzimis1925.gada12. martā), pazīstams arī kāLeo Esaki,irJapānasfiziķis. 1973. gadā kopā arĪvaru JēveruunBraianu DžozefsonuieguvisNobela prēmiju fizikāpar eksperimentāliem atklājumiem attiecībā uztuneļefektu.^[2]

Agrīnais dzīves posms

Esaki dzimis 1925. gada 12. martāJapānas Impērijas Osakas prefektūrā,Nakakavači apgabalā, Takaidas ciemā (tagad daļa no Higašiosakas pilsētas). Viņš uzaugaKioto,netālu no Kioto Imperiālās universitātes un Došišas universitātes. Mācījās Došišas Junioru augstskolā. Pēc tam studēja fizikuTokijas Imperiālajā universitātē,kur 1944. gada oktobrī apmeklējaHideki Jukavas kodolfizikasteorijas kursu. Studiju laikā viņš pārdzīvojaTokijasbombardēšanu.

Esaki 1947. gadā kļuva par bakalauru (B.Sc.) un 1959. gadā ieguva doktora (Ph.D.) grādu Tokijas Universitātē.

Karjera

No 1947. līdz 1960. gadam Esaki strādāja uzņēmumāKawanishi Corporation(tagadDenso Ten) unTokyo Tsushin Kogyo(tagadSony). Tajā laikā amerikāņu fiziķiDžons Bardīns,Volters BrateinsunViljams Šoklijsizgudrojatranzistoru.Tas mudināja Esaki mainīt pētījumu jomu noelektronu lampāmuz leģētugermānijaunsilīcijapētījumiemSony.Gadu vēlāk viņš atklāja, ka, samazinot germānija PN savienojuma platumu, strāvas-sprieguma raksturlīknē dominētuneļefektaietekme un, palielinoties spriegumam, strāva samazinās apgriezti, kas norāda uz negatīvu pretestību. Šis atklājums bija pirmais cietvielu tuneļefekta demonstrējums fizikā, kā rezultātā tika izveidota jauna elektroniskā ierīce izmantošanai elektronikā, ko sauc par Esaki diodi (vaituneļdiodi). Sakarā ar šo atklājumu Esaki 1959. gadā ieguva doktora grāduTokijas Universitātē.

1973. gadā Esaki saņēma Nobela prēmiju fizikā par pētījumiem, kas veikti ap 1958. gadu saistībā ar elektronu tunelēšanu cietās vielās. Viņš kļuva par pirmo Nobela prēmijas laureātu, kuram balvu pasniedza karalisKārlis XVI Gustavs.

Esaki 1960. gadā pārcēlās uzASVun pievienojāsIBMTomasa Vatsona pētījumu centram, kur viņš kļuva par IBM stipendiātu 1967. gadā. Viņš paredzēja, ka tiks veidoti pusvadītāju superrežģi, lai radītu diferenciālu negatīvās pretestības efektu, izmantojot mākslīgi radītas viendimensionālas periodiskās struktūras izmaiņas pusvadītāju kristālos. Esaki unikālo "molekulāro staru epitaksijas" plānslāņa kristālu augšanas metodi var diezgan precīzi izmantot īpaši augstāvakuumā.Viņa pirmais raksts par pusvadītāju superrežģi publicēts 1970. gadā.^[3]

1972. gadā Esaki realizēja savu superrežģu koncepciju III-V grupas pusvadītājos, vēlāk šī koncepcija ietekmēja daudzas jomas, piemēram, metālus un magnētiskos materiālus. 1991. gadā Esaki piešķīra IEEE Goda medaļu "par ieguldījumu un vadību tuneļu veidošanā, pusvadītāju superrežģos un kvantu urbumos"^[4]un Japānas balva "par cilvēka radītu superrežģa kristālu koncepcijas izveidi un realizāciju jaunu materiālu ģenerēšanai ar noderīgu pielietojumu" 1998. gadā.^[1]

1977. gadā Esaki ievēlēja par Nacionālās inženierzinātņu akadēmijas locekli par ieguldījumu pusvadītāju ierīču projektēšanā.

Pēc atgriesanās Japānā

Esaki 1992. gadā pārcēlās atpakaļ uz Japānu. Pēc tam viņš bija Cukubas Universitātes un Šibaura Tehnoloģiju institūta prezidents. Kopš 2006. gada viņš ir Jokohamas Farmācijas koledžas prezidents. Esaki ir arī saņēmis Ņujorkas Starptautiskā centra izcilības balvu, Kultūras ordeni (1974) un Uzlecošās saules ordeņa Lielo kordonu (1998).

Godinot trīs Nobela prēmijas laureātu ieguldījumu, 2015. gadā Cukubas pilsētas centrālajā parkā uzstādījaSinitiro Tomonagas,Leo Esaki unMakoto Kobajašibronzas statujas.

PēcJoičiro Nambunāves 2015. gadā Esaki ir vecākais Japānas Nobela prēmijas laureāts.

Viņa meita Ana Esaki ir precējusies ar Kreigu S. Smitu, bijušoThe New York TimesŠanhajasbiroja vadītāju unThe Wall Street JournalĶīnas biroja vadītāju.^[5]

Atsauces

↑^1,0^1,1«The Japan Prize Foundation».japanprize.jp.Skatīts: 2019. gada 9. augusts.
↑«The Nobel Prize in Physics 1973».Nobel Foundation.
↑Esaki, L.; Tsu, R. (1970)."Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors".IBM Journal of Research and Development14: 61–65.doi:10.1147/rd.141.0061.
↑«IEEE Medal of Honor Recipients».Institute of Electrical and Electronics Engineers(IEEE).2015. gada 22. aprīlis. Arhivēts nooriģināla,laiks: 2015. gada 22. aprīlis.Skatīts: 2019. gada 9. augusts.
↑«Anna Esaki Wed To Craig S. Smith».The New York Times(en-US). 1990-01-14.ISSN 0362-4331.Skatīts:2021-08-19.

Ārējās saites

Vikikrātuvēpar šo tēmu ir pieejamimultividesfaili. Skatīt:Leo Esaki.

Encyclopædia Britannicaraksts(angliski)
Visuotinė lietuvių enciklopedijaraksts(lietuviski)
Brockhaus Enzyklopädieraksts(vāciski)
Krievijas Lielās enciklopēdijas raksts(krieviski)
Encyclopædia Universalisraksts(franciski)
Leo Esaki biogrāfija Nobela prēmijas mājaslapā(angliski)

Apbalvojumi
Priekštecis: Džons Bardīns Leons Kūpers Džons Šrīfers	Nobela prēmija fizikā 1973. kopā ar Īvaru Jēveru unBraianu Džozefsonu	Pēctecis: Martins Rails Entonijs Hjūišs

[auto-1] 1,0^1,1«The Japan Prize Foundation».japanprize.jp.Skatīts: 2019. gada 9. augusts.

[2] «The Nobel Prize in Physics 1973».Nobel Foundation.

[3] Esaki, L.; Tsu, R. (1970)."Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors".IBM Journal of Research and Development14: 61–65.doi:10.1147/rd.141.0061.

[4] «IEEE Medal of Honor Recipients».Institute of Electrical and Electronics Engineers(IEEE).2015. gada 22. aprīlis. Arhivēts nooriģināla,laiks: 2015. gada 22. aprīlis.Skatīts: 2019. gada 9. augusts.

[5] «Anna Esaki Wed To Craig S. Smith».The New York Times(en-US). 1990-01-14.ISSN 0362-4331.Skatīts:2021-08-19.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]