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上海交大杨卓青团队实现液滴驱动肖特基二极管的恒流发电
2023年8月29日基于MSM结构的肖特基二极管发电阵列在多水滴驱动下的恒流发电 该研究工作证明了水滴能够驱动肖特基MSM结构以实现直流电学输出,由于摩擦起电效应以及在固-液界面构建的双电层电容,砸落的...
中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
6月11日3.高耐压氧化镓肖特基势垒二极管研究近年来,基于β-Ga2O3的肖特基势垒二极管(SBD)研究迅速发展,并有望率先实现商业化。然而,目前器件的实际性能与理论极限尚有较大差距,有效的边缘终端...
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展
该工作基于氧化镓异质PN结的前期研究基础(Weibing Hao, et.al.,inproc.ISPSD, 105,2022),将异质结终端扩展结构(Junction Termination Extension, JTE)成功应用于氧化镓肖特基二极管。该...
如何用万能表检测肖特基二极管
2021年4月1日如何用万能表检测肖特基二极管 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属半导体器件。 肖特基二极管,又...
肖特基二极管的结构与缺点
2021年1月20日肖特基二极管利用金属-半导体接面作为肖特基势垒产生整流效果,这与一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N结不同。 基于肖特基势垒的特性,肖特基二极管的导通电压降很低,同时也可以提高切换的速度。 肖特基二极管的缺点 肖特基二极管最大的缺点,就是它反向偏置比较...
...| 最新进展:国际首次报道基于准垂直型氮化镓肖特基二极管的高...
2021年4月30日论文标题:First Demonstration of L-Band High-Power Limiter with GaN Schottky Barrier Diodes (SBDs) Based on Steep-Mesa Technology(基于陡台面技术的GaN肖特基势垒二极管l波段高功率限制器的首次演示) 期刊:Electronics 作者:Yue Sun, Xuanwu Kang, Shixiong De...
Trench肖特基整流器:功能、优点和用例
2019年3月12日通过使用具有低金属功函数的肖特基金属,可最大限度减少金属半导体接面的压降。但是,结点处的正向压降和肖特基整流器的泄漏电流之间存在权衡关系,因为泄漏电流的级别也由肖特基势垒和金属半导体接面的电场决定。除了该权衡,为实现高反向阻断电压,当漂移区的厚度进一步...
热扫描探针光刻技术消除二维半导体材料-金属肖特基势垒——不止于...
2019年1月29日采用这一技术方案,Zheng等人在单层MoS2上制备了具有栅和背栅结构的场效应晶体管。在未采用负电容或异质堆叠等方案的前提下,Zheng等人制备的器件中的二维半导体材料与金属电之间的肖特基...
车载肖特基二极管耐压可提升至200V,有望替代快恢复/整流二极管
2019年9月25日摘 要:在车载二极管市场,200 V产品的需求量越来越大,传统是整流二极管和快恢复二极管主导的领域;不过,现在出现了颠覆者,通过改进肖特基势垒二极管的阻挡金属材料,肖特基势垒二极管可...
强茂推出用于功率转换系统的新型650V和1200V碳化硅肖特基势垒...
2022年4月20日【TechWeb】4月20日消息，强茂半导体推出了最新的650V和1200V 碳化硅肖特基势垒二极管系列，与硅基础的组件相比，它们提供了出色的开关性能和更高的可靠性。 强茂最新发布的650V和1200V...
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