Robert H. Dennard
| |
| Data i miejsce urodzenia |
5 września 1932 |
|---|---|
| Data i miejsce śmierci |
23 kwietnia 2024 |
| doktor | |
| Alma Mater | |
| Doktorat |
1958 |
| inżynier w IBM | |
Robert H. Dennard(ur.5 września1932wTerrell,zm.23 kwietnia2024wSleepy Hollow) –amerykańskiinżynier,twórca pamięciDRAM.
Życiorys
[edytuj|edytuj kod]Urodził się 5 września 1932 r. w Terrell jako najmłodszy z czwórki dzieci Buforda i Lomy Dennardów. Jego rodzina przeniosła się, gdy miał cztery lata, wobec czego naukę rozpoczął w jednoizbowej szkole wCarthage[1].Wychował się nafarmiebez prądu[2].Z czasem rodzina przeniosła się za pracą ojca doIrving.W młodości interesował się sztuką, czytał powieściH.G. Wellsai poezjęOgdena Nashai słuchał operetek Sigmunda Romberga. Jako uczeń wykazywał talent do matematyki i ojczystego języka angielskiego[1].Dzięki talentowi do gry nawaltorniotrzymał stypendium[2]od rektoraSouthern Methodist University,które pozwoliło mu podjąć studia elektroniczne[2].Tam w 1954 r. uzyskałlicencjat,a dwa lata późniejmagisterium.WCarnegie Institute of Technologyuzyskał zaś stopieńdoktora[3].
Po uzyskaniu doktoratu podjął w 1958 r. pracę[3]jako członek zespołu badawczego wIBM.W związku z dużym rozmiarem i wymaganiami energetycznymi istniejącejpamięci RAMz rdzeniem magnetycznym, Dennard wraz z zespołem mikroelektroników opracował w 1964 r. nowy rodzaj pamięci komputerowej, który wymagał sześciutranzystorówdo przechowywania jednegobituinformacji. Projekt ten uznano za zbyt skomplikowany i powolny, więc Dennard zaczął pracę na systemem, w którym mógłby przechowywać bit informacji w jednym tranzystorze, co doprowadziło[2]w 1966 r.[4]do opracowania dynamicznej pamięci o dostępie swobodnym (DRAM)[2],która przechowuje informację w formie ładunku elektrycznego, który z czasem zanika, wobec czego musi być odnawiana[1].W 1968 r. uzyskał patent na tę technologię[3],a łącznie był posiadaczem ok. 75 patentów[1].W IBM pracował do 2014 r., gdy przeszedł na emeryturę[1].
Nowy typ pamięci wydatnie zwiększył możliwości przetwarzania danych i obniżył koszt tych operacji[4].Badania Dennarda doprowadziły również do sformułowaniateoriiopartej naprawie Moore’a,która przewidywała postęp w dziedzinie półprzewodników, zgodnie z założeniem, że wydajność każdegowatawzrasta w przybliżeniu w tym samym tempie, zatem w miarę zmniejszania się rozmiarów tranzystorów wymagają one również mniejszej mocy[2].
Wyróżniony przez prezydentaRonalda ReaganaNarodowym Medalem Technologii (1988 r.)[3],Medalem Honorowym Institute of Electrical and Electronics Engineers (2009 r.), nagrodą Stowarzyszenia Przemysłu Półprzewodników im. Roberta N. Noyce’a[2],nagrodą National Academy of Engineering's Charles Stark Draper Prize, tytułem IBM fellow (1979 r.), członkostwem w U.S. National Academy of Engineering (1984 r.), członkostwem w U.S. National Inventors Hall of Fame (1997 r.), Kyoto Prize (2013) i Lemelson-MIT Lifetime Achievement Award (1988 r.)[3].
Życie prywatne
[edytuj|edytuj kod]Żonaty trzykrotnie[1],miał dwie córki, Amy i Holly[2]oraz syna Roberta Jr.
Zmarł 23 kwietnia 2024 r.[2]w Sleepy Hollow[4]z powodu infekcji bakteryjnej[1].
Przypisy
[edytuj|edytuj kod]- ↑abcdefgSteveLohr,Robert Dennard, IBM Inventor Whose Chip Changed Computing, Dies at 91,„The New York Times”,16 maja 2024,ISSN0362-4331[dostęp 2024-05-20](ang.).
- ↑abcdefghiZmarł Robert Dennard, wynalazca pamięci DRAM i autor teorii skalowania półprzewodników[online], ITHardware, 5 sierpnia 2024[dostęp 2024-05-20](pol.).
- ↑abcdeRobert H. Dennard | Biography, Inventions, & Facts | Britannica[online], britannica.com, 18 maja 2024[dostęp 2024-05-20](ang.).
- ↑abcZmarł inżynier, którego wynalazek jest dziś w każdym telefonie komórkowym i laptopie[online], Onet Wiadomości, 17 maja 2024[dostęp 2024-05-20](pol.).