Herbert Kroemer
Herbert Kroemer![]() | |
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Herbert Kroemer (2008) | |
Nascimento | 25 de agostode1928(95 anos) Weimar |
Morte | 8 de março de 2024 (95 anos) |
Nacionalidade | Alemão,estadunidense |
Cidadania | Alemanha, Estados Unidos |
Alma mater | Universidade Friedrich Schiller de Jena,Universidade de Göttingen |
Ocupação | físico,professor universitário |
Prêmios | ![]() |
Empregador(a) | Universidade da Califórnia em Santa Bárbara,Universidade do Colorado em Boulder |
Orientador(a)(es/s) | Richard Becker[1] |
Instituições | Universidade do Colorado em Boulder,Universidade da Califórnia em Santa Bárbara |
Campo(s) | Física |
Tese | 1952:Zur Theorie des Germaniumgleichrichters und des Transistors |
Religião | ateísmo |
Herbert Kroemer(Weimar,25 de agostode1928-8 de marçode2024) foi umfísicoalemão.[2]Recebeu oNobel de Físicade 2000, pelo desenvolvimento de heteroestruturas de semicondutores usando optoeletrônica de alta velocidade.
Carreira
[editar|editar código-fonte]Kroemer trabalhou em vários laboratórios de pesquisa na Alemanha e nosEstados Unidose lecionou engenharia elétrica naUniversidade do Coloradode 1968 a 1976. Ele se juntou ao corpo docente da UCSB em 1976, concentrando seu programa de pesquisa de semicondutores na tecnologia emergente de semicondutores compostos em vez da tecnologia de silício convencional. Junto comCharles Kittel,ele foi coautor do livroThermal Physics,publicado pela primeira vez em 1980, e usado até hoje. Ele também é autor do livroQuantum Mechanics for Engineering, Materials Science and Applied Physics.[3][4][5]
Kroemer foi eleito como membro da Academia Nacional de Engenharia em 1997 pela concepção do transistor de heteroestrutura semicondutora e laser, e pela liderança na tecnologia de materiaissemicondutores.Ele também foi eleito membro da Academia Nacional de Ciências em 2003.[3][4][5]
Kroemer sempre preferiu trabalhar em problemas que estão à frente da tecnologia convencional, inventando o transistor de deriva na década de 1950 e sendo o primeiro a apontar que vantagens poderiam ser obtidas em vários dispositivos semicondutores incorporando heterojunções. Mais notavelmente, porém, em 1963 ele propôs o conceito do laser de dupla heteroestrutura, que é agora um conceito central no campo dos lasers semicondutores. Kroemer tornou-se um dos pioneiros na epitaxia por feixe molecular, concentrando-se na aplicação da tecnologia a novos materiais não experimentados.[3][4][5]
Referências
- ↑Herbert Kroemer(em inglês) noMathematics Genealogy Project
- ↑«Nobel Laureate Herb Kroemer, 1928–2024».UC Santa Barbara Engineering(em inglês). 12 de março de 2024.Consultado em 13 de março de 2024
- ↑abcH. Kroemer, Quantum Mechanics, Prentice Hall (1994)
- ↑abc«Nobel Laureate Herb Kroemer, 1928-2024».UCSB College of Engineering(em inglês). 12 de março de 2024.Consultado em 26 de abril de 2024
- ↑abc«Sad News - Professor Emeritus Herbert Kroemer | Office of the Chancellor».chancellor.ucsb.edu.Consultado em 26 de abril de 2024
Ligações externas
[editar|editar código-fonte]- Not Just Blue Sky
- Personal Homepage UCSBArquivado em2014-02-02 noWayback Machine
- Freeview video Interview with Herbert Kroemer by the Vega Science Trust
- U.S. Patent 5067828Modulador de massa efetivo de elétrons transferidos (Herbert Kroemer)
- U.S. Patent 5013683Método para o cultivo de super-redes inclinadas (Herbert Kroemer)
- Herb’s Bipolar TransistorsIEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 48, NO. 11, NOVEMBER 2001PDF
- Influence of Mobility and Lifetime Variations on Drift-Field Effects in Silicon-Junction DevicesPDF
- Heterostructure Bipolar Transistors and Integrated CircuitsPDF
Precedido por Gerardus 't HoofteMartinus J. G. Veltman |
Nobel de Física 2000 comZhores AlferoveJack Kilby |
Sucedido por Eric Allin Cornell,Carl WiemaneWolfgang Ketterle |
Precedido por Herwig Kogelnik |
Medalha de Honra IEEE 2002 |
Sucedido por Nick Holonyak |
- Nascidos em 1928
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- Laureados da Alemanha com o Nobel
- Laureados dos Estados Unidos com o Nobel
- Medalha de Honra IEEE
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