PROM

Un circuitPROM(Programmable Read-Only Memory)sauFPROM(Field Programmable Read-Only Memory)sauOTP NVM(One-Time Programmable Non-Volatile Memory)este o formă de memorie digitală unde valoarea fiecărui bit este stabilită prin arderea unei siguranțe. Acest fel de circuit este folosit pentru stocarea permanentă a unui program. Diferența majoră față de circuiteleROM(Read-Only Memory)este că programarea acestuia se face după construcția circuitului.

Circuitele PROM sunt fabricate cu memoria liberă și, în funcție de tehnologia de fabricație, pot fi programate folosind circuite speciale sau chiar în sistemul în care urmează a fi instalate. Această tehnologie permite companiilor să păstreze în stoc o cantitate apreciabilă de unități PROM și să le programeze înainte de utilizare pentru a evita cumpărarea de circuite ROM specifice fiecărui produs în parte. Acest tip de memorie se găsește frecvent în cazul consolelor de jocuri, telefoanelor mobile, aparatelor medicale implantabile, interfețelor HDMI(High-Definition Multimedia Interface)și în multe alte produse de larg consum.

Istorie

CircuitulPROMa fost inventat în 1956 de către Wen Tsing Chow, care lucra în acel moment pentruAmerican Bosch Arma Corporationîn Garden City, New York.^[1]^[2]Circuitele au fost create la cerereaForțelor Aeriene ale SUA.Aceștia doreau o modalitate mai sigură și flexibilă de a stoca coordonatele țintelor în calculatorul digital al rachetelor Atlas E/F. Patentul și tehnologia asociată acestuia a fost ținut secret câțiva ani, timp în care rachetele Atlas E/F au devenit principală armă intercontinentala a SUA. Termenul de "ardere", care se referă la programarea unui circuit PROM, se găsește în patentul original al tehnologiei deoarece una din metodele incipiente de implementare a programării circuitelor era chiar aceea de ardere a diodelor interne cu un curent destul de mare pentru a produce discontinuități în circuit. Primele circuite de programare a PROM-urilor au fost de asemenea dezvoltate de ingineri Arma sub conducerea lui Chow și au fost dispuse în laboratorul Arma din Garden City și la comandamentul SAC (Strategic Air Command).

Primele circuitePROMcomerciale, bazate pe tehnologia semiconductorilor, au fost disponibile încă din anul 1969, valoarea celulelor de bit depinzând de arderea unui condensator aflat la intersecția liniilor conductoare.Texas Instrumentsa realizat circuitul folosind tehnologiaMOSFETîn 1979.^[3]În 1982 s-a trecut de la folosirea condensatoarelor la folosirea tranzistorilor. Cu toate aceste avansuri tehnologice, principiul de ardere propriu-zisă a circuitelor a ridicat o serie de probleme de scalare, programare, mărime și fabricație ce au condus la producția acestora în volume mici.^[4]

Mod de programare

În general, un circuit tipicPROMneprogramat are valoarea tuturor biților setată la "1" logic. Arderea unei siguranțe face ca valoarea bit-ului corespunzător să fie "0" logic. Memoria poate fi programată doar o singură dată prin arderea sigurantelor, acest proces fiind ireversibil. Ulterior este imposibil să refaci o siguranță arsă. Unele dispozitive pot fi „reprogramate” dacă noile date înlocuiesc valaorea unei celule cu nivel logic „1” cu valoare de „0”. Pentru a permite o corecție ulterioară, în cazul unor erori de programare sau modificări de program, unele seturi de instrucțiuni pentru anumite microprocesoare, un exemplu este MOS_Technology_6502, au profitat de acest lucru definind o instrucțiune break (BRK), care are codul de operare „00”. În cazurile în care a existat o instrucțiune incorectă, aceasta ar putea fi „reprogramată” la un BRK, deci o ardere de biți cu nivel "1" logic, determinând CPU-ul să transfere controlul către o zonă unde se găsește o altă secvență de program. Aceasta ar executa instrucțiunea corectă și va reveni la instrucțiunea de după BRK.

Note

^Han-Way Huang (5 decembrie 2008).Embedded System Design with C805.Cengage Learning. p. 22.ISBN 978-1-111-81079-5.Arhivat dinoriginalla27 aprilie 2018.
^Marie-Aude Aufaure; Esteban Zimányi (17 ianuarie 2013).Business Intelligence: Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15-21, 2012, Tutorial Lectures.Springer. p. 136.ISBN 978-3-642-36318-4.Arhivat dinoriginalla27 aprilie 2018.
^SeeUS Patent 4184207 Arhivatîn27 aprilie 2018,laWayback Machine.- High density floating gate electrically programmable ROM, andUS Patent 4151021 Arhivatîn27 aprilie 2018,laWayback Machine.- Method of making a high density floating gate electrically programmable ROM
^Chip Planning Portal.ChipEstimate. Retrieved on 2013-08-10.

Bibliografie

Baruch Zoltan Francisc:Arhitectura calculatoarelor,Editura Todesco, Cluj-Napoca, 2000,ISBN 973-99780-7-x
Aurel Șerb:Arhitectura și structura calculatoarelor,Editura Pro Universitaria, 2011, ISBN: 978-973-129-982-2
Floarea Baicu, Liviu Gabriel Baicu:Arhitectura calculatoarelor,Editura Universitară, 2014, ISBN: 978-606-591-987-7
Nicolae Robu:Arhitectura calculatoarelor,Editura Politehnică, Timișoara, 2014, ISBN: 973-8247-01-2
Vințan N. Lucian:Fundamente ale arhitecturii microprocesoarelor,Editura Matrix Rom, București, 2016,ISBN 978-606-25-0276-8
Coca, Eugen; Ion Spânulescu (1996).Circuite integrate digitale și sisteme cu microprocesoare.București: Editura Victor.ISBN 973-973318-2.
Burileanu, Corneliu (1994).Arhitectura microprocesoarelor.București: Editura Denix.
Lupu, Cristian; Țepelea Vlad; Purice Emil (1982).Microprocesoare. Aplicații.București: Editura Militară.
Căpățână, Octavian; Hasegan Dan; Cornea Marius; Pușca Mircea V. (1983).Proiectarea cu microprocesoare.Cluj-Napoca: Editura Dacia.

Vezi și

Legături externe

Materiale media legate dePROMlaWikimedia Commons

[Huang2008-1] Han-Way Huang (5 decembrie 2008).Embedded System Design with C805.Cengage Learning. p. 22.ISBN 978-1-111-81079-5.Arhivat dinoriginalla27 aprilie 2018.

[AufaureZimányi2013-2] Marie-Aude Aufaure; Esteban Zimányi (17 ianuarie 2013).Business Intelligence: Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15-21, 2012, Tutorial Lectures.Springer. p. 136.ISBN 978-3-642-36318-4.Arhivat dinoriginalla27 aprilie 2018.

[3] SeeUS Patent 4184207 Arhivatîn27 aprilie 2018,laWayback Machine.- High density floating gate electrically programmable ROM, andUS Patent 4151021 Arhivatîn27 aprilie 2018,laWayback Machine.- Method of making a high density floating gate electrically programmable ROM

[4] Chip Planning Portal.ChipEstimate. Retrieved on 2013-08-10.

[1]

[2]

[3]

[4]