IGBT
IGBTellerinsulated-gate bipolar transistor( "bipolär transistormed isolerat styre ") är en typ avtransistorsom är en vanlig komponent i modernkraftelektronik.Den kombinerar egenskaperna hos enMOSFET-fälteffekttransistoroch en bipolär transistor och utvecklades omkring 1980 avJayant BaligavidGeneral Electric.[1][2]
IGBT-transistorer förekommer bland annat i kraftelektroniken i modernalok.En annan, mer vardaglig, applikation av IGBT-transistorer är i vissa typer avdimrar.[3]För varvtalsstyrning av asynkronmotorer används idag IGBT mycket ofta - både som enskilda komponenter och som färdiga IGBT moduler i form av hel- eller halvbryggor.
Källor
[redigera|redigera wikitext]- ^”Tidslinje Elektronikutvecklingen 1945-1990”.aef.se.Arboga Elektronikhistoriska Förening. 20 april 2016.http://aef.se/Elektronikutveckling/Artiklar/Tidslinje_teknikutv.htm.Läst 16 januari 2017.
- ^Edwards, John (22 november 2010).”B. Jayant Baliga: Designing The Insulated-Gate Bipolar Transistor”(på engelska).Electronic Design.http://electronicdesign.com/analog/b-jayant-baliga-designing-insulated-gate-bipolar-transistor.Läst 16 januari 2017.
- ^[1]Arkiverad5 mars 2016 hämtat från theWayback Machine., läst 30 juli 2015
Externa länkar
[redigera|redigera wikitext]
Wikimedia Commons har media som rörIGBT.