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670 ‎‡a Analyse de la fiabilité de mémoires à changement de phase embarquées basées sur des matériaux innovants / Gabriele Navarro; sous la direction de Gérard Ghibaudo [thèse]‏
670 ‎‡a Internet, https://fr.linkedin /in/gabriele-navarro-a99667220, 2024-03-06‏
678 ‎‡a Titulaire d'un doctorat en Sciences et technologie industrielles (Grenoble, 2013)‏ ‎‡a Ingénieur de Recherche R&D au sein du CEA Leti - Grenoble‏
910 ‎‡a advancedcharacterizationforthedevelopmentofinnovativenonvolatilememories‏ ‎‡A Advanced characterization for the development of innovative non-volatile memories.‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 1‏
910 ‎‡a caracterisationavanceepourledeveloppementdesnouvellesmemoiresnonvolatiles‏ ‎‡A Caractérisation avancée pour le développement des nouvelles mémoires non-volatiles /‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 1‏
910 ‎‡a backendselectorfrommaterialdevelopmenttodeviceperformances‏ ‎‡A The Back-End Selector:‏ ‎‡b From material development to device performances /‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 2‏
910 ‎‡a selecteurbackenddudeveloppementdumateriauverslesperformancesdudispositif‏ ‎‡A Le Sélecteur Back-End:‏ ‎‡b Du développement du matériau vers les performances du dispositif.‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 2‏
910 ‎‡a towardthenextgenerationofnonvolatilephasechangememorytargetingultralowpowerconsumption‏ ‎‡A Toward the Next generation of Non Volatile Phase-Change Memory Targeting Ultra-Low Power Consumption.‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 1‏
910 ‎‡a nouvellegenerationdememoireachangementdephasenonvolatilepourdesapplicationsa3basseconsommation‏ ‎‡A Nouvelle génération de mémoire à changement de phase non volatile pour des applications à très basse consommation /‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 1‏
910 ‎‡a caracterisationthermiquedesalliagesgesbteparthermometrieramanpourlesmemoiresachangementdephase‏ ‎‡A Caractérisation thermique des alliages GeSbTe par thermométrie Raman pour les mémoires à changement de phase.‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 1‏
910 ‎‡a thermalcharacterizationofgesbtealloysbyramanthermometryforphasechangememories‏ ‎‡A Thermal characterization of GeSbTe alloys by Raman thermometry for Phase-Change Memories /‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 1‏
910 ‎‡a innovativememorydevicetargetingembeddednonvolatilememoryapplicationsforthe28nmnodeandbeyond‏ ‎‡A Innovative Memory Device targeting embedded Non Volatile Memory applications for the 28 nm node and beyond.‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 1‏
910 ‎‡a architecturesdedispositifsdememoireinnovantespourapplicationentantquememoiresnonvolatilesembarqueesvisantlenoeudtechnologique28nmetaudela‏ ‎‡A Architectures de dispositifs de mémoire innovantes pour application en tant que mémoires non volatiles embarquées visant le nœud technologique 28 nm et au-delà /‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 1‏
910 ‎‡a phasechangememorypcmforhighdensitystorageclassmemoryscmapplications‏ ‎‡A Phase Change Memory (PCM) for High Density Storage Class Memory (SCM) Applications.‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 1‏
910 ‎‡a memoiresachangementdephasepcmpourlesapplicationsdememoiredeclassedestockagescmahautedensite‏ ‎‡A Mémoires à Changement de Phase (PCM) pour les applications de Mémoire de Classe de Stockage (SCM) à haute densité /‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 1‏
910 ‎‡a reliabilityanalysisofembeddedphasechangememoriesbasedoninnovativematerials‏ ‎‡A Reliability analysis of embedded Phase-Change Memories based on innovative materials.‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 1‏
910 ‎‡a analysedelafiabilitedememoiresachangementdephaseembarqueesbaseessurdesmateriauxinnovants‏ ‎‡A Analyse de la fiabilité de mémoires à changement de phase embarquées basées sur des matériaux innovants /‏ ‎‡l eng‏ ‎‡9 1‏
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