【重磅!首个功率半导体器件及应用创新中心拟将落户湖南株洲】9月22日上午,湖南省IGBT产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟第三届学术论坛在株洲举办,IGBT产业链的10余家单位签署框架协议,约定共同创建功率半导体及应用创新中心。创新中心将通过协同技术、人才、资金等资源,打通技术研发供给、商业化等链条,打破国外垄断,推动我国新型功率半导体技术的突破。【新闻全文阅读O网页链接
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  • Ü 简介: 2015《IGBT专刊》将由中国IGBT技术创新与产业联盟主办了!欢迎咨询。咨询热线:13520307378
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