肖特基势垒_百度搜索

2023年4月2日打开App,看更多精彩内容

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2023年5月10日导读:单晶锗在应变场作用下具有极高的载流子迁移率,其作为重要的光电材料,应用于超快半导器件和激光器。然而锗是脆性材料,室温条件下机械应变作用易引发断裂失效或引入晶体缺陷,影...

压缩应变(100)/(001)外延四方PZT薄膜的畴结构转变 - 知乎
2023年03月13日-压缩应变(100)/(001)外延四方PZT薄膜的畴结构转变摘要:采用金属...
山大/清华Nat. Commun.: 三价稀土氧化物固有表面氧空位 - 知乎
2024年10月01日-氧空位(Ov)是金属氧化物晶格中普遍存在的一种阴离子缺陷。由于Ov...

2023年7月10日研究发现,稀土Sm掺杂可有效调控铁酸铋薄膜氧空位浓度和分布,从而改变SrRuO3/BIFeO3界面肖特基势垒和退极化场强度。两者相互竞争导致铁电自极化从铁电单畴向多畴演变,畴尺寸显著变小...

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2024年4月2日因为隧穿电流对势垒高度和宽度的指数依赖性意味着在耦合化学过程中可能发生的原子水平上的小波动将导致隧穿电流的可测量变化,其中一半的随机波动会增加器件电导。因此,为了将任何特...

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2023年10月25日 II–VI族和III–V族的胶体量子点(QDs)是下一代发光器件的关键成分。传统的II - VI族和III - V族半导体化合物(CIIAVI和CIIIAV,其中C代表阳离子,A代表阴离子)可...

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2023年11月1日首先，二极管的电容效应包括势垒电容CB和扩散电容CD两个部分。势垒电容CB（Cr）在 PN 结的内部结构中，PN结空间内缺少导电的载流子，其电导率很低，因此相当于介质。而PN结两侧的P...

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2023年9月29日局部缺陷态的存在可以调制晶界势垒附近的电子和空穴能级，影响电子和空穴的注入和传输性能。温度升高会增加电子和空穴与局部缺陷态的相互作用概率，进一步影响了电荷传输和损失过程...

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2022年5月13日由于 Ir 物质的有利价态、丰富的亲电氧物质 (O(II-δ)-) 和有利的介孔结构,所制备的介孔层状 Ir-IrOx/C 催化剂在 0.5 M H2SO4 中的电流密度为 10 mA cm-2geo下实现了超低的198 mV的...

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2024年9月14日在玻色子系统中,也可产生额外的量子态,如玻色玻璃——一种绝缘但可压缩的量子态,没有长程相位相干性,出现在无序玻色子系统中,这完全不同于相互作用玻色子的超流体和莫特绝缘基态。 ...

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