百度资讯搜索_肖特基势垒

2019年8月28日二极管主要有几种,诸如肖特基势垒二极管(SBD)、整流二极管(FRD)、快恢复二极管(PND)等。如图3可见,如果用Si材料,用肖特基构造来做,最高大约只能做到250 V。再往上做的话,基本都是靠整流...

【TechWeb】4月20日消息，强茂半导体推出了最新的650V和1200V 碳化硅肖特基势垒二极管系列，与硅基础的组件相比，它们提供了出色的开关性能和更高的可靠性。强茂最新发布的650V和1200V...

电荷产生层(charge-generation layer,CGL)为我们带来了一个解决方案。电荷产生层通常由P型和N型半导体组成,当器件工作时,在电场的作用下CGL可以产生空穴-电子对,这使得载流子可以无需跨...

2022年8月29日这是因为电极是活性材料、粘结剂和导电碳的复杂混合物,其中材料成分、分散均匀性、粒径分布、颗粒堆积方式、电极厚度、电极孔隙率等都会影响Li在电极内的扩散行为。另一方面,密度泛函理...

2021年4月23日在非辐射衰变过程中,金属吸收光子会产生高能、非平衡的“热”电子-空穴对——热载流子()。金属纳米结构中的热载流子可以越过肖特基势垒()注入半导体导带之中,从而实现有效的能量转换,被...

2019年8月26日据山东天岳官方消息,本项目以硅烷和甲烷在氢气和氩气条件下制得SiC衬底外延片后,经掩膜淀积、光刻、显影、灰化、刻蚀和检验封装等工序,生产SiC MOSFET晶体管,设计年生产规模为400万只/...