MP5023 thị nhất khoảnNhiệt sáp bạtBảo hộTâm phiến,Dụng vu bảo hộ thâu xuất đoanĐiện lộBất thụ thâu nhập đoan thuấn thái đích ảnh hưởng. MP5023 dã khả dĩ bảo hộ thâu nhập bất thụ thâu xuất đoản lộ hòa thuấn thái ảnh hưởng. Khải động kỳ gian, thông quá thiết trí thâu xuất điện áp thượng thăng tà suất lai hạn chếLãng dũng điện lưu.Thâu xuất điện áp thượng thăng tà suất do SSDẫn cướcNgoại tiếpĐiện dungKhống chế.
Thông quá phiến thượng điện lưu thải dạng kỹ thuật lai hạn chế tối đại thâu xuấtPhụ tái điện lưu.Hạn lưu trị đại tiểu do ISET dữ địa chi gian đích đêCông suất điện trởThiết trí. Do nội bộ sung điện bơm khu độngCông suất khí kiệnĐíchSách cực,Khống chế cụ hữu cực đêĐạo thông điện trở( 1.1mΩ ) đích công suất FET đạo thông.
MP5023 hoàn bao hàm IMON công năng, khả thông quá thiết trí IMON chí địa chi gian đích điện trở trị, sản sinh dữ công suất khí kiện điện lưu thành chính bỉ đích điện áp. MP5023 khả dĩ thông quáPMBusTMTiếp khẩu độc thủ điện lưu, điện áp hòa ôn độ sổ cư dĩ cập lai tự nội bộADCĐích thâu nhập công suất.
MP5023 bao hàm liễu nhất cá khoái tốc phóng điện lộ kính, khả dĩ thông quá PMBusTMTiếp khẩu tại tâm phiến cấm dụng thời khoái tốc phóng xuất ngoại bộ thâu xuất điện dung đích năng lượng. Toàn phương vị đích bảo hộ đặc tính bao quát hạn lưu bảo hộ, quá ôn quan đoạn bảo hộ, thụ tổnMOSFETKiểm trắc. Hạn lưu bảo hộ hòa quá ôn quan đoạn bảo hộ quân khả dĩ thông quá PMBusTMTiếp khẩu thiết trí tự động trọng khải hòa tỏa định mô thức. MP5023 hoàn cụ hữuQuá áp bảo hộ( OVP ) hòa khiếm áp tỏa định bảo hộ ( UVP ).
MP5023 thải dụng tiểu xích thốn FCQFN-24 ( 4mmx5mm )Phong trang.
Sản phẩm đặc tính hòa ưu thế
- Thâu nhập điện ápPhạm vi: 4V chí 16V
- Tập thành 1.1mΩ công suất MOSFET
- Tối đại 50A thâu xuất điện lưu
- Khả điều hạn lưu công năng
- Thâu xuất điện lưu trắc lượng
- Đoản lộ bảo hộKhoái tốc hưởng ứng (<200ns)
- Điện nguyênChính thường thâu xuất kiểm trắc hòa chỉ kỳ công năng
- VIN = 0 thời, PG trí đê
- Thụ tổn MOSFET kiểm trắc
Bị chú: Thử tư liêu lai nguyên vu MPS quan phương xuất phẩm.