Chi thừa pha lê cơ bản cập sử dụng này dọn đưa thể

Bổn xin là xin hào: 201480031817.3, PCT xin hào: PCT/JP2014/073085, xin ngày: 2014.9.2, phát minh tên: “Chi thừa pha lê cơ bản cập sử dụng này dọn đưa thể” xin phân án xin.

Kỹ thuật lĩnh vực

Bổn phát minh đề cập chi thừa pha lê cơ bản cập sử dụng này dọn đưa thể, cụ thể tới nói, đề cập ở chất bán dẫn phong trang kiện ( chất bán dẫn trang bị ) chế tạo trình tự làm việc có ích với chi thừa gia công cơ bản chi thừa pha lê cơ bản cập sử dụng này dọn đưa thể.

Bối cảnh kỹ thuật

Đối với di động điện thoại, notebook hình cá nhân máy tính, PDA(Personal Data Assistance) chờ liền huề hình điện tử thiết bị, yêu cầu loại nhỏ hóa cùng nhẹ lượng hóa. Tùy theo, dùng cho này đó điện tử thiết bị chất bán dẫn chip trang bị không gian cũng đã chịu nghiêm khắc hạn chế, chất bán dẫn chip mật độ cao trang bị trở thành đầu đề. Bởi vậy, năm gần đây, thông qua 3d trang bị kỹ thuật, tức, đem chất bán dẫn chip lẫn nhau trùng điệp, đem nửa này nửa nọ chất dẫn chip gian hệ thống dây điện liên tiếp, do đó thực hiện chất bán dẫn phong trang kiện mật độ cao trang bị.

Mặt khác, dĩ vãng tinh phiến cấp phong trang (WLP) thông qua như sau phương pháp tới chế tác: Lấy tinh phiến trạng thái hình thành đột khối sau, thông qua cắt tới đơn phiến hóa. Nhưng mà, dĩ vãng WLP khó có thể gia tăng tục huyền số (pin count), hơn nữa ở chất bán dẫn chip mặt trái bại lộ trạng thái hạ bị trang bị, bởi vậy tồn tại dễ dàng phát sinh chất bán dẫn chip thiếu tổn hại chờ vấn đề.

Bởi vậy, làm tân WLP, đưa ra fan out hình WLP. fan out hình WLP có thể gia tăng tục huyền số, hơn nữa, thông qua bảo hộ chất bán dẫn chip đoan bộ, có thể phòng ngừa chất bán dẫn chip thiếu tổn hại chờ.

Phát minh nội dung

Phát minh muốn giải quyết vấn đề

fan out hình WLP có: Dùng nhựa cây phong kín tài đem nhiều chất bán dẫn chip nắn mô, hình thành gia công cơ bản sau, đối gia công cơ bản một cái mặt ngoài tiến hành hệ thống dây điện trình tự làm việc; cùng hình thành hàn đột điểm trình tự làm việc chờ.

Này đó trình tự làm việc bởi vì cùng với ước 200℃ xử lý nhiệt, cho nên phong kín tài khả năng biến hình, gia công cơ bản khả năng phát sinh kích cỡ biến hóa. Nếu gia công cơ bản phát sinh kích cỡ biến hóa, tắc đối với gia công cơ bản một cái mặt ngoài mật độ cao mà hệ thống dây điện trở nên khó khăn, hơn nữa chính xác địa hình thành hàn đột điểm cũng trở nên khó khăn.

Vì ức chế gia công cơ bản kích cỡ biến hóa, sử dụng dùng cho chi thừa gia công cơ bản chi thừa cơ bản là hữu hiệu. Nhưng mà, cho dù ở sử dụng chi thừa cơ bản dưới tình huống, gia công cơ bản kích cỡ biến hóa có khi cũng sẽ phát sinh.

Bổn phát minh xét thấy kể trên tình huống mà hoàn thành, này kỹ thuật đầu đề ở chỗ, thông qua phát minh khó có thể phát sinh gia công cơ bản kích cỡ biến hóa chi thừa cơ bản cùng sử dụng này dọn đưa thể, do đó có trợ giúp chất bán dẫn phong trang kiện mật độ cao trang bị.

Dùng cho giải quyết vấn đề thủ đoạn

Bổn phát minh người chờ lặp lại tiến hành các loại thực nghiệm kết quả phát hiện, thông qua chọn dùng pha lê cơ bản làm chi thừa cơ bản, cũng nghiêm khắc mà hạn chế nên pha lê cơ bản nhiệt hệ số giãn nở, có thể giải quyết kể trên kỹ thuật đầu đề, làm bổn phát minh đưa ra. Tức, bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản đặc thù ở chỗ, 20～200℃ độ ấm trong phạm vi mặt bằng chung nhiệt hệ số giãn nở vì 50×10

Pha lê cơ bản dễ dàng sử mặt ngoài trơn nhẵn hóa, thả có cao cương tính. Bởi vậy, nếu sử dụng pha lê cơ bản làm chi thừa cơ bản, tắc có thể sử gia công cơ bản vững chắc, thả chính xác mà tiến hành chi thừa. Mặt khác, pha lê cơ bản dễ dàng xuyên thấu qua tử ngoại quang chờ quang. Bởi vậy, nếu sử dụng pha lê cơ bản làm chi thừa cơ bản, tắc thông qua thiết trí dính tiếp tầng chờ, có thể dễ dàng cố định gia công cơ bản cùng chi thừa pha lê cơ bản. Mặt khác, thông qua thiết trí tróc tầng chờ, còn có thể đủ dễ dàng chia lìa gia công cơ bản cùng chi thừa pha lê cơ bản.

Mặt khác, đối với bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản mà nói, 20～200℃ độ ấm trong phạm vi mặt bằng chung nhiệt hệ số giãn nở bị hạn chế vì 50×10

Đệ nhị, bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản đặc thù ở chỗ, 30～380℃ độ ấm trong phạm vi mặt bằng chung nhiệt hệ số giãn nở vì 50×10

Đệ tam, bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản lựa chọn phương án tối ưu ở chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo trình tự làm việc có ích với gia công cơ bản chi thừa.

Đệ tứ, bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản lựa chọn phương án tối ưu tương đối với bản hậu phương hướng bước sóng 300nm khi tử ngoại tuyến thấu bắn suất vì 40％ trở lên. Nơi này, “Tương đối với bản hậu phương hướng bước sóng 300nm khi tử ngoại tuyến thấu bắn suất” có thể thông qua tỷ như sử dụng song chùm tia sáng hình phân trống trơn độ kế, trắc định bước sóng 300nm phân quang thấu bắn suất tiến hành đánh giá.

Thứ năm, bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản lựa chọn phương án tối ưu Dương thị mô lượng vì 65GPa trở lên. Nơi này, “Dương thị mô lượng” là chỉ thông qua uốn lượn cộng hưởng pháp trắc định giá trị. Cần nói rõ chính là, 1GPa tương đương với ước 101.9Kgf/mm

Thứ sáu, bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản lựa chọn phương án tối ưu làm pha lê tạo thành, lấy chất lượng ％ kế đựng SiO

Thứ bảy, bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản lựa chọn phương án tối ưu làm pha lê tạo thành, lấy chất lượng ％ kế đựng SiO

Thứ tám, bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản lựa chọn phương án tối ưu là bản hậu thấp hơn 2.0mm, đường kính vì 100～500mm tinh phiến hình dạng hoặc đại khái viên bản hình dạng, thả bản hậu lệch lạc vì 30μm dưới.

Thứ chín, bổn phát minh dọn đưa thể đặc thù ở chỗ, là ít nhất cụ bị gia công cơ bản cùng dùng cho chi thừa gia công cơ bản chi thừa pha lê cơ bản dọn đưa thể, chi thừa pha lê cơ bản vì kể trên chi thừa pha lê cơ bản.

Đệ thập, bổn phát minh chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo phương pháp đặc thù ở chỗ, có được đến ít nhất cụ bị gia công cơ bản cùng dùng cho chi thừa gia công cơ bản chi thừa pha lê cơ bản dọn đưa thể trình tự làm việc, dọn đưa dọn đưa thể trình tự làm việc, cùng đối gia công cơ bản tiến hành gia công xử lý trình tự làm việc, hơn nữa chi thừa pha lê cơ bản vì kể trên chi thừa pha lê cơ bản. Cần nói rõ chính là, “Dọn đưa dọn đưa thể trình tự làm việc” cùng “Đối gia công cơ bản tiến hành gia công xử lý trình tự làm việc” không cần tách ra tiến hành, có thể đồng thời tiến hành. Cụ thể tới nói, có thể ở đang lúc dọn đưa trung đối dọn đưa thể gia công cơ bản tiến hành gia công xử lý, hoặc là ở dọn đưa dọn đưa thể trên đường đình chỉ khi hoặc bắt đầu dọn đưa thể dọn đưa trước đình chỉ khi hoặc kết thúc dọn đưa thể dọn đưa sau đình chỉ khi, đối dọn đưa thể gia công cơ bản tiến hành gia công xử lý.

Đệ thập nhất, bổn phát minh chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo phương pháp lựa chọn phương án tối ưu gia công xử lý bao gồm ở gia công cơ bản một cái mặt ngoài tiến hành hệ thống dây điện xử lý.

Thứ mười hai, bổn phát minh chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo phương pháp lựa chọn phương án tối ưu gia công xử lý bao gồm ở gia công cơ bản một cái mặt ngoài hình thành hàn đột điểm xử lý.

Thứ mười ba, bổn phát minh chất bán dẫn phong trang kiện đặc thù ở chỗ, thông qua kể trên chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo phương pháp tới chế tác.

Đệ thập tứ, bổn phát minh điện tử thiết bị đặc thù ở chỗ, là cụ bị chất bán dẫn phong trang kiện điện tử thiết bị, chất bán dẫn phong trang kiện vì kể trên chất bán dẫn phong trang kiện.

Hình minh hoạ thuyết minh

Đồ 1 là tỏ vẻ bổn phát minh dọn đưa thể đồng loạt ý bảo hình nổi.

Đồ 2a là tỏ vẻ fan out hình WLP chế tạo trình tự làm việc ý bảo mặt cắt đồ.

Đồ 2b là tỏ vẻ fan out hình WLP chế tạo trình tự làm việc ý bảo mặt cắt đồ.

Đồ 2c là tỏ vẻ fan out hình WLP chế tạo trình tự làm việc ý bảo mặt cắt đồ.

Đồ 2d là tỏ vẻ fan out hình WLP chế tạo trình tự làm việc ý bảo mặt cắt đồ.

Đồ 2e là tỏ vẻ fan out hình WLP chế tạo trình tự làm việc ý bảo mặt cắt đồ.

Đồ 2f là tỏ vẻ fan out hình WLP chế tạo trình tự làm việc ý bảo mặt cắt đồ.

Đồ 2g là tỏ vẻ fan out hình WLP chế tạo trình tự làm việc ý bảo mặt cắt đồ.

Cụ thể thực thi phương thức

Ở bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản trung, 20～200℃ độ ấm trong phạm vi mặt bằng chung nhiệt hệ số giãn nở vì 50×10

30～380℃ độ ấm trong phạm vi mặt bằng chung nhiệt hệ số giãn nở vì 50×10

Ở bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản, tương đối với bản hậu phương hướng bước sóng 300nm khi tử ngoại tuyến thấu bắn suất ( nói cách khác, bước sóng 300nm khi bản hậu phương hướng tử ngoại tuyến thấu bắn suất ) lựa chọn phương án tối ưu vì 40％ trở lên, 50％ trở lên, 60％ trở lên hoặc 70％ trở lên, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu vì 80％ trở lên. Nếu tử ngoại tuyến thấu bắn suất quá thấp, tắc thông qua tử ngoại quang chiếu xạ. Khó có thể thông qua dính tiếp tầng dính tiếp gia công cơ bản với chi thừa cơ bản, hơn nữa khó có thể thông qua tróc tầng từ gia công cơ bản tróc chi thừa cơ bản.

Bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản lựa chọn phương án tối ưu làm pha lê tạo thành, lấy chất lượng ％ kế đựng SiO

SiO

Al

B

MgO là hạ thấp cực nóng dính tính, đề cao nóng chảy tính thành phần, ở đất kiềm loại kim loại oxy hoá vật trung, là lộ rõ đề cao Dương thị mô lượng thành phần. MgO hàm lượng lựa chọn phương án tối ưu vì 0～10％, 0～8％, 0～6％ hoặc 0～5％, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu vì 0～1％. Nếu MgO hàm lượng quá nhiều, tắc nại thất thấu tính dễ dàng hạ thấp.

CaO là hạ thấp cực nóng dính tính, lộ rõ đề cao nóng chảy tính thành phần. Mặt khác, ở đất kiềm loại kim loại oxy hoá vật trung, dẫn vào nguyên liệu tương đối giá rẻ, bởi vậy là sử nguyên liệu phí tổn rẻ tiền hóa thành phần. CaO hàm lượng lựa chọn phương án tối ưu vì 0～10％, 0.5～8％ hoặc 1～6％, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu vì 2～5％. Nếu CaO hàm lượng quá nhiều, tắc pha lê dễ dàng thất thấu. Cần nói rõ chính là, nếu CaO hàm lượng quá thiếu, tắc khó có thể được hưởng kể trên hiệu quả.

SrO là ức chế phân tương thành phần, mặt khác, là đề cao nại thất thấu tính thành phần. SrO hàm lượng lựa chọn phương án tối ưu vì 0～7％, 0～5％ hoặc 0～3％, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu 0～ thấp hơn 1％. Nếu SrO hàm lượng quá nhiều, tắc pha lê dễ dàng thất thấu.

BaO là đề cao nại thất thấu tính thành phần. BaO hàm lượng lựa chọn phương án tối ưu vì 0～7％, 0～5％, 0～3％ hoặc 0～ thấp hơn 1％. Nếu BaO hàm lượng quá nhiều, tắc pha lê dễ dàng thất thấu.

ZnO là hạ thấp cực nóng dính tính, lộ rõ đề cao nóng chảy tính thành phần. ZnO hàm lượng lựa chọn phương án tối ưu vì 0～7％ hoặc 0.1～5％, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu vì 0.5～3％. Nếu ZnO hàm lượng quá thiếu, tắc khó có thể được hưởng kể trên hiệu quả. Cần nói rõ chính là, nếu ZnO hàm lượng quá nhiều, tắc pha lê dễ dàng thất thấu.

Na

Từ ưu hoá nhiệt hệ số giãn nở quan điểm xuất phát, chất lượng so (Al

K

Trừ kể trên thành phần bên ngoài, làm tùy ý thành phần, có thể dẫn vào cái khác thành phần. Cần nói rõ chính là, từ xác thật mà được hưởng bổn phát minh hiệu quả quan điểm xuất phát, trừ kể trên thành phần bên ngoài cái khác thành phần hàm lượng lấy tổng sản lượng kế lựa chọn phương án tối ưu vì 10％ dưới, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu vì 5％ dưới.

Fe

Làm thanh trừng tề, As

SnO

Ngoài ra, chỉ cần không tổn hại pha lê đặc tính, làm thanh trừng tề, có thể đem F, Cl, SO

Cl là xúc tiến pha lê nóng chảy thành phần. Nếu ở pha lê tạo thành trung dẫn vào Cl, tắc có thể thực hiện nóng chảy độ ấm nhiệt độ thấp hóa, thanh trừng tác dụng xúc tiến, này kết quả là, dễ dàng đạt thành nóng chảy phí tổn rẻ tiền hóa, pha lê chế tạo diêu trường thọ mệnh hóa. Nhưng mà, nếu Cl hàm lượng quá nhiều, tắc có khả năng ăn mòn pha lê chế tạo diêu chung quanh kim loại bộ kiện. Bởi vậy, Cl hàm lượng lựa chọn phương án tối ưu vì 3％ dưới, 1％ dưới hoặc 0.5％ dưới, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu vì 0.1％ dưới.

P

TiO

ZrO

Y

Bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản lựa chọn phương án tối ưu có dưới đặc tính.

Ở bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản trung, Dương thị mô lượng lựa chọn phương án tối ưu vì 65GPa trở lên, 67GPa trở lên, 68GPa trở lên, 69GPa trở lên hoặc 70GPa trở lên, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu vì 71GPa trở lên. Nếu Dương thị mô lượng quá thấp, tắc khó có thể duy trì dọn đưa thể cương tính, dễ dàng phát sinh gia công cơ bản biến hình, kiều khúc, tổn hại.

Dịch tương độ ấm lựa chọn phương án tối ưu vì thấp hơn 1150℃, 1120℃ dưới, 1100℃ dưới, 1080℃ dưới, 1050℃ dưới, 1010℃ dưới, 980℃ dưới, 960℃ dưới hoặc 950℃ dưới, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu vì 940℃ dưới. Cứ như vậy, dễ dàng lợi dụng hạ kéo pháp, đặc biệt là tràn ra hạ kéo pháp đem pha lê cơ bản thành hình, bởi vậy dễ dàng chế tác bản hậu tiểu nhân pha lê cơ bản, hơn nữa cho dù không nghiền nát mặt ngoài, cũng có thể đủ hạ thấp hậu lệch lạc, này kết quả là, còn có thể đủ sử pha lê cơ bản chế tạo phí tổn rẻ tiền hóa. Tiến thêm một bước, ở pha lê cơ bản chế tạo trình tự làm việc khi, dễ dàng phòng ngừa sinh ra thất thấu kết tinh, pha lê cơ bản năng suất hạ thấp tình huống. Nơi này, “Dịch tương độ ấm” có thể thông qua đem xuyên qua tiêu chuẩn si 30 si mắt (500μm) mà tàn lưu với 50 si mắt (300μm) bột thủy tinh mạt để vào bạc thuyền sau, ở độ ấm thang độ lò trung bảo trì 24 giờ, cũng trắc định kết tinh phân ra độ ấm do đó tính ra.

Dịch tương độ ấm hạ dính độ lựa chọn phương án tối ưu vì 10000dPa·s trở lên, 30000dPa·s trở lên, 60000dPa·s trở lên, 100000dPa·s trở lên, 150000dPa·s trở lên, 200000dPa·s trở lên, 250000dPa·s trở lên, 300000dPa·s trở lên hoặc 350000dPa·s trở lên, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu vì 400000dPa·s trở lên. Cứ như vậy, dễ dàng lợi dụng hạ kéo pháp, đặc biệt là tràn ra hạ kéo pháp đem pha lê cơ bản thành hình, bởi vậy dễ dàng chế tác bản hậu tiểu nhân pha lê cơ bản, hơn nữa cho dù không nghiền nát mặt ngoài, cũng có thể đủ hạ thấp bản hậu lệch lạc, này kết quả là, có thể sử pha lê cơ bản chế tạo phí tổn rẻ tiền hóa. Tiến thêm một bước, ở pha lê cơ bản chế tạo trình tự làm việc khi, dễ dàng phòng ngừa sinh ra thất thấu kết tinh, pha lê cơ bản năng suất hạ thấp tình huống. Nơi này, “Dịch tương độ ấm hạ dính độ” có thể lợi dụng bạc cầu đề kéo pháp tiến hành trắc định. Cần nói rõ chính là, dịch tương độ ấm hạ dính độ là thành hình tính chỉ tiêu, dịch tương độ ấm hạ dính độ càng cao, thành hình tính càng đề cao.

10

Bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản lựa chọn phương án tối ưu lợi dụng hạ kéo pháp, đặc biệt là tràn ra hạ kéo pháp thành hình mà thành. Tràn ra hạ kéo pháp là từ chịu nhiệt tính tào trạng kết cấu vật hai sườn sử nóng chảy pha lê tràn ra, ở tào trạng kết cấu vật hạ đỉnh sử tràn ra nóng chảy pha lê hợp lưu, biên hướng phía dưới kéo duỗi thành hình tới chế tạo pha lê cơ bản phương pháp. Tràn ra hạ kéo pháp trung, ứng trở thành pha lê cơ bản mặt ngoài mặt không tiếp xúc tào trạng nại hỏa vật, lấy tự do mặt ngoài trạng thái thành hình. Bởi vậy, dễ dàng chế tác bản hậu tiểu nhân pha lê cơ bản, hơn nữa cho dù không nghiền nát mặt ngoài, cũng có thể hạ thấp bản hậu lệch lạc, này kết quả là, có thể sử pha lê cơ bản chế tạo phí tổn rẻ tiền hóa. Cần nói rõ chính là, tào trạng kết cấu vật kết cấu, tài chất nếu có thể đủ thực hiện sở kỳ vọng kích cỡ, mặt ngoài độ chặt chẽ tắc không có đặc biệt hạn định. Mặt khác, tại tiến hành hướng phía dưới kéo duỗi thành hình khi, gây lực phương pháp cũng không có đặc biệt hạn định. Tỷ như, có thể chọn dùng sử có đầy đủ đại độ rộng chịu nhiệt tính trục ở tiếp xúc pha lê trạng thái hạ xoay tròn tiến hành kéo duỗi phương pháp, cũng có thể chọn dùng sử nhiều thành đôi chịu nhiệt tính trục chỉ tiếp xúc pha lê mặt cắt phụ cận tiến hành kéo duỗi phương pháp.

Làm pha lê cơ bản thành hình phương pháp, trừ tràn ra hạ kéo pháp bên ngoài, còn có thể chọn dùng tỷ như khe hẹp hạ kéo pháp, lại kéo pháp, phù pháp chờ.

Bổn phát minh pha lê cơ bản lựa chọn phương án tối ưu đại khái viên bản trạng hoặc tinh phiến trạng, này đường kính lựa chọn phương án tối ưu vì 100mm trở lên thả 500mm dưới, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu vì 150mm trở lên thả 450mm dưới. Cứ như vậy, dễ dàng áp dụng với chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo trình tự làm việc. Dựa theo yêu cầu, còn có thể gia công thành này bên ngoài hình dạng, tỷ như hình chữ nhật chờ hình dạng.

Ở bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản trung, bản hậu lựa chọn phương án tối ưu thấp hơn 2.0mm, 1.5mm dưới, 1.2mm dưới, 1.1mm dưới hoặc 1.0mm dưới, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu vì 0.9mm dưới. Bản hậu càng mỏng, dọn đưa thể chất lượng càng nhẹ, bởi vậy xử lý tính đề cao. Về phương diện khác, nếu bản hậu quá mỏng, tắc chi thừa pha lê cơ bản tự thân cường độ hạ thấp, khó có thể phát huy làm chi thừa cơ bản công năng. Bởi vậy, bản hậu lựa chọn phương án tối ưu vì 0.1mm trở lên, 0.2mm trở lên, 0.3mm trở lên, 0.4mm trở lên, 0.5mm trở lên hoặc 0.6mm trở lên, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu vượt qua 0.7mm.

Ở bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản trung, bản hậu lệch lạc lựa chọn phương án tối ưu vì 30μm dưới, 20μm dưới, 10μm dưới, 5μm dưới, 4μm dưới, 3μm dưới, 2μm dưới hoặc 1μm dưới, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu thấp hơn 0.1～1μm. Mặt khác, số học bình quân thô ráp độ Ra lựa chọn phương án tối ưu vì 100nm dưới, 50nm dưới, 20nm dưới, 10nm dưới, 5nm dưới, 2nm dưới hoặc 1nm dưới, đặc biệt lựa chọn phương án tối ưu vì 0.5nm dưới. Mặt ngoài độ chặt chẽ càng cao, càng dễ dàng đề cao gia công xử lý độ chặt chẽ. Đặc biệt là có thể đề cao hệ thống dây điện độ chặt chẽ, bởi vậy có thể thực hiện mật độ cao hệ thống dây điện. Mặt khác, chi thừa pha lê cơ bản cường độ đề cao, chi thừa pha lê cơ bản cùng dọn đưa thể khó có thể tổn hại. Tiến thêm một bước có thể gia tăng chi thừa pha lê cơ bản lại lợi dụng số lần. Cần nói rõ chính là, “Số học bình quân thô ráp độ Ra” có thể thông qua xúc châm thức mặt ngoài thô ráp độ kế hoặc nguyên tử lực kính hiển vi (AFM) tiến hành trắc định.

Bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản lựa chọn phương án tối ưu ở lợi dụng tràn ra hạ kéo pháp thành hình sau, đối mặt ngoài tiến hành nghiền nát mà thành. Cứ như vậy, dễ dàng đem bản hậu lệch lạc hạn chế vì 2μm dưới hoặc 1μm dưới, đặc biệt là thấp hơn 1μm.

Từ chế tạo hiệu suất quan điểm xuất phát, bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản lựa chọn phương án tối ưu chưa tiến hành hóa học cường hóa xử lý, từ máy móc cường độ quan điểm xuất phát, lựa chọn phương án tối ưu tiến hành rồi hóa học cường hóa xử lý. Nói cách khác, từ chế tạo hiệu suất quan điểm xuất phát, lựa chọn phương án tối ưu ở mặt ngoài không có áp súc ứng lực tầng, từ máy móc cường độ quan điểm xuất phát, lựa chọn phương án tối ưu ở mặt ngoài có áp súc ứng lực tầng.

Bổn phát minh dọn đưa thể đặc thù ở chỗ, là ít nhất cụ bị gia công cơ bản cùng dùng cho chi thừa gia công cơ bản chi thừa pha lê cơ bản dọn đưa thể, chi thừa pha lê cơ bản vì kể trên chi thừa pha lê cơ bản. Nơi này, bổn phát minh dọn đưa thể kỹ thuật đặc thù ( thích hợp cấu thành, hiệu quả ) cùng bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản kỹ thuật đặc thù lặp lại. Bởi vậy, ở bổn bản thuyết minh trung, đối với nên lặp lại bộ phận tỉnh lược kỹ càng tỉ mỉ ghi lại.

Bổn phát minh dọn đưa thể lựa chọn phương án tối ưu ở gia công cơ bản cùng chi thừa pha lê cơ bản chi gian có dính tiếp tầng. Dính tiếp tầng lựa chọn phương án tối ưu vì nhựa cây, tỷ như lựa chọn phương án tối ưu vì tính nhiệt cố nhựa cây, quang cố hóa tính nhựa cây ( đặc biệt là tử ngoại tuyến cố hóa nhựa cây ) chờ. Mặt khác, lựa chọn phương án tối ưu ở chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo trình tự làm việc trung sử dụng các loại nước thuốc, hoặc đối với làm thức khắc khi sở sử dụng khí thể, thể plasma có nhẫn nại vật chất. Mặt khác, lựa chọn phương án tối ưu có nại chịu chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo trình tự làm việc trung xử lý nhiệt chịu nhiệt tính. Bởi vậy, ở chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo trình tự làm việc trung dính tiếp tầng khó có thể nóng chảy, có thể đề cao gia công xử lý độ chặt chẽ.

Bổn phát minh dọn đưa thể lựa chọn phương án tối ưu tiến thêm một bước ở gia công cơ bản cùng chi thừa pha lê cơ bản chi gian, càng cụ thể tới nói ở gia công cơ bản cùng dính tiếp tầng chi gian, có tróc tầng. Cứ như vậy, đối gia công cơ bản tiến hành quy định gia công xử lý sau, dễ dàng đem gia công cơ bản từ chi thừa pha lê cơ bản tróc. Từ năng suất quan điểm xuất phát, gia công cơ bản tróc lựa chọn phương án tối ưu thông qua laser chờ chiếu xạ quang tới tiến hành.

Tróc tầng từ thông qua laser chờ chiếu xạ quang phát sinh “Tầng nội tróc” hoặc “Giao diện tróc” tài liệu cấu thành. Nói cách khác từ nếu chiếu xạ nhất định cường độ quang, tắc nguyên tử hoặc phần tử trung nguyên tử thỉnh thoảng phần tử gian kết hợp lực biến mất hoặc giảm bớt, phát sinh tiêu thực (ablation) chờ, phát sinh tróc tài liệu cấu thành. Cần nói rõ chính là, giống như tình huống: Thông qua chiếu xạ quang chiếu xạ, tróc tầng trung sở hàm thành phần biến thành khí thể mà thả ra cứ thế chia lìa tình huống, cùng tróc tầng hấp thu quang mà biến thành khí thể, này hơi bị thả ra cứ thế chia lìa tình huống.

Ở bổn phát minh dọn đưa thể trung, chi thừa pha lê cơ bản lựa chọn phương án tối ưu lớn hơn gia công cơ bản. Bởi vậy, ở đối gia công cơ bản cùng chi thừa pha lê cơ bản tiến hành chi thừa khi, cho dù ở hai người trung tâm vị trí tách ra một chút khi, gia công cơ bản duyên bộ cũng khó có thể từ chi thừa pha lê cơ bản xông ra.

Bổn phát minh chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo phương pháp đặc thù ở chỗ, có được đến ít nhất cụ bị gia công cơ bản cùng dùng cho chi thừa gia công cơ bản chi thừa pha lê cơ bản dọn đưa thể trình tự làm việc, dọn đưa dọn đưa thể trình tự làm việc, cùng đối gia công cơ bản tiến hành gia công xử lý trình tự làm việc, hơn nữa chi thừa pha lê cơ bản vì kể trên chi thừa pha lê cơ bản. Nơi này, bổn phát minh chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo phương pháp kỹ thuật đặc thù ( thích hợp cấu thành, hiệu quả ) cùng bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản cùng dọn đưa thể kỹ thuật đặc thù lặp lại. Bởi vậy, bổn bản thuyết minh trung, đối với nên lặp lại bộ phận, tỉnh lược kỹ càng tỉ mỉ ghi lại.

Bổn phát minh chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo phương pháp trung, gia công xử lý lựa chọn phương án tối ưu vì đối gia công cơ bản một cái mặt ngoài tiến hành hệ thống dây điện xử lý, hoặc là ở gia công cơ bản một cái mặt ngoài hình thành hàn đột điểm xử lý. Bổn phát minh chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo phương pháp trung, ở này đó xử lý khi gia công cơ bản khó có thể phát sinh kích cỡ biến hóa, bởi vậy có thể thích hợp mà tiến hành này đó trình tự làm việc.

Làm gia công xử lý, trừ kể trên bên ngoài, có thể là đối gia công cơ bản một cái mặt ngoài ( thông thường là cùng chi thừa pha lê cơ bản tương phản sườn mặt ngoài ) tiến hành máy móc nghiền nát xử lý, đối gia công cơ bản một cái mặt ngoài ( thông thường là cùng chi thừa pha lê cơ bản tương phản sườn mặt ngoài ) tiến hành làm thức khắc xử lý, đối gia công cơ bản một khác mặt ngoài ( thông thường là cùng chi thừa pha lê cơ bản tương phản sườn mặt ngoài ) tiến hành ướt thức khắc xử lý trung nhậm một loại. Cần nói rõ chính là, bổn phát minh chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo phương pháp trung, gia công cơ bản khó có thể phát sinh kiều khúc, hơn nữa có thể so cao điểm duy trì dọn đưa thể cương tính. Này kết quả là, có thể thích hợp tiến hành kể trên gia công xử lý.

Bổn phát minh chất bán dẫn phong trang kiện đặc thù ở chỗ, thông qua kể trên chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo phương pháp tới chế tác. Nơi này, bổn phát minh chất bán dẫn phong trang kiện kỹ thuật đặc thù ( thích hợp cấu thành, hiệu quả ) cùng bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản, dọn đưa thể cùng chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo phương pháp kỹ thuật đặc thù lặp lại. Bởi vậy, bổn bản thuyết minh trung, đối với nên lặp lại bộ phận tỉnh lược kỹ càng tỉ mỉ ghi lại.

Bổn phát minh điện tử thiết bị là cụ bị chất bán dẫn phong trang kiện điện tử thiết bị, này đặc thù ở chỗ, chất bán dẫn phong trang kiện vì kể trên chất bán dẫn phong trang kiện. Nơi này, bổn phát minh điện tử thiết bị kỹ thuật đặc thù ( thích hợp cấu thành, hiệu quả ) cùng bổn phát minh chi thừa pha lê cơ bản, dọn đưa thể, chất bán dẫn phong trang kiện chế tạo phương pháp, chất bán dẫn phong trang kiện kỹ thuật đặc thù lặp lại. Bởi vậy, bổn bản thuyết minh trung, đối với nên lặp lại bộ phận tỉnh lược kỹ càng tỉ mỉ ghi lại.

Biên tham chiếu hình minh hoạ, biên tiến thêm một bước thuyết minh bổn phát minh.

Đồ 1 là tỏ vẻ bổn phát minh dọn đưa thể 1 đồng loạt ý bảo hình nổi. Đồ 1 trung, dọn đưa thể 1 cụ bị chi thừa pha lê cơ bản 10 cùng gia công cơ bản ( chất bán dẫn cơ bản )11. Vì phòng ngừa gia công cơ bản 11 kích cỡ biến hóa, chi thừa pha lê cơ bản 10 dán phụ với gia công cơ bản 11. Ở chi thừa pha lê cơ bản 10 cùng gia công cơ bản 11 chi gian, phối trí có tróc tầng 12 cùng dính tiếp tầng 13. Tróc tầng 12 cùng chi thừa pha lê cơ bản 10 tiếp xúc, dính tiếp tầng 13 cùng gia công cơ bản 11 tiếp xúc.

Từ đồ 1 có thể minh xác, dọn đưa thể 1 dựa theo chi thừa pha lê cơ bản 10, tróc tầng 12, dính tiếp tầng 13, gia công cơ bản 11 trình tự trùng điệp phối trí. Chi thừa pha lê cơ bản 10 hình dạng căn cứ gia công cơ bản 11 mà quyết định, nhưng đồ 1 trung, chi thừa pha lê cơ bản 10 cùng gia công cơ bản 11 hình dạng đều vì đại khái viên bản hình dạng. Tróc tầng 12 trừ bỏ phi tinh chất khuê (a-Si) bên ngoài, còn có thể sử dụng khuê oxy hoá vật, khuê oxy hoá hợp vật, nitro hóa khuê, nitro hóa nhôm, nitro hóa thái chờ. Tróc tầng 12 thông qua thể plasma CVD, lợi dụng dung giao - ngưng keo pháp toàn đồ chờ mà hình thành. Dính tiếp tầng 13 từ nhựa cây cấu thành, tỷ như, thông qua các loại in ấn pháp, phun mặc pháp, toàn đồ pháp, trục đồ pháp chờ mà đồ bố hình thành. Chi thừa pha lê cơ bản 10 bằng vào tróc tầng 12 mà từ gia công cơ bản 11 tróc sau, dính tiếp tầng 13 thông qua dung môi chờ mà hòa tan trừ bỏ.

Đồ 2a～ đồ 2g là fan out hình WLP chế tạo trình tự làm việc ý bảo mặt cắt đồ. Đồ 2a tỏ vẻ ở chi thừa bộ kiện 20 một cái mặt ngoài hình thành dính tiếp tầng 21 trạng thái. Dựa theo yêu cầu, có thể ở chi thừa bộ kiện 20 cùng dính tiếp tầng 21 chi gian hình thành tróc tầng. Tiếp theo, như đồ 2b sở kỳ, ở dính tiếp tầng 21 thượng dán phụ nhiều chất bán dẫn chip 22. Lúc này, sử chất bán dẫn chip 22 hữu hiệu sườn mặt tiếp xúc dính tiếp tầng 21. Tiếp theo, như đồ 2c sở kỳ, dùng nhựa cây phong kín tài 23 đối chất bán dẫn chip 22 tiến hành nắn mô. Phong kín tài 23 sử dụng áp súc thành hình sau kích cỡ biến hóa, thành hình hệ thống dây điện khi kích cỡ biến hóa thiếu tài liệu. Tiếp theo, như đồ 2d cùng đồ 2e sở kỳ, từ chi thừa bộ kiện 20 chia lìa nắn mô có chất bán dẫn chip 22 gia công cơ bản 24 sau, cách dính tiếp tầng 25, cùng chi thừa pha lê cơ bản 26 tiếp hợp cố định. Lúc này, ở gia công cơ bản 24 mặt ngoài nội, cùng chôn nhập chất bán dẫn chip 22 một bên mặt ngoài tương phản sườn mặt ngoài phối trí với chi thừa pha lê cơ bản 26 sườn. Dựa theo như vậy, có thể được đến dọn đưa thể 27. Cần nói rõ chính là, có thể dựa theo yêu cầu ở dính tiếp tầng 25 cùng chi thừa pha lê cơ bản 26 chi gian hình thành tróc tầng. Ngoài ra, dọn đưa đoạt được đến dọn đưa thể 27 sau, như đồ 2f sở kỳ, ở gia công cơ bản 24 chôn nhập chất bán dẫn chip 22 một bên mặt ngoài hình thành hệ thống dây điện 28, sau đó, ở hệ thống dây điện 28 bại lộ bộ sườn hình thành nhiều hàn đột điểm 29. Cuối cùng, từ chi thừa pha lê cơ bản 26 chia lìa gia công cơ bản 24 sau, như đồ 2g sở kỳ, đem gia công cơ bản 24 cắt thành mỗi cái chất bán dẫn chip 22, cung với lúc sau phong trang trình tự làm việc.

【 thực thi lệ 1】

Dưới, căn cứ vào thực thi lệ đối bổn phát minh tiến hành thuyết minh. Cần nói rõ chính là, dưới thực thi lệ gần là lệ kỳ. Bổn phát minh không chịu dưới thực thi lệ bất luận cái gì hạn định.

Biểu 1 tỏ vẻ bổn phát minh thực thi lệ ( thí liêu No.1～7).

【 biểu 1】

Đầu tiên, dựa theo trở thành biểu trung pha lê tạo thành phương thức, đem điều phối có pha lê nguyên liệu pha lê phê liêu để vào bạc nồi nấu quặng trung, ở 1550℃ nóng chảy 4 giờ. Ở pha lê phê liêu hòa tan khi, sử dụng bạc quấy tử quấy, tiến hành đều chất hóa. Tiếp theo, đem nóng chảy pha lê chảy ra đến than bản thượng, thành hình thành bản trạng sau, từ cao hơn hoãn lãnh điểm 20℃ tả hữu độ ấm bắt đầu, lấy 3℃/ phút hoãn lãnh đến nhiệt độ bình thường. Đối với đoạt được đến các thí liêu, đánh giá 20～200℃ độ ấm trong phạm vi mặt bằng chung nhiệt hệ số giãn nở α

20～200℃ độ ấm trong phạm vi mặt bằng chung nhiệt hệ số giãn nở α

Mật độ ρ là lợi dụng công biết Archimedes pháp trắc định giá trị.

Ứng biến điểm Ps, hoãn lãnh điểm Ta, mềm hoá điểm Ts là căn cứ vào ASTM C336 phương pháp trắc định giá trị.

Cực nóng dính độ 10

Dịch tương độ ấm TL là đem thông qua tiêu chuẩn si 30 si mắt (500μm), mà tàn lưu ở 50 si mắt (300μm) bột thủy tinh mạt để vào bạc thuyền, ở độ ấm thang độ lò trung bảo trì 24 giờ sau, dùng kính hiển vi quan sát trắc định kết tinh phân ra độ ấm giá trị. Dịch tương độ ấm hạ dính độ η là lợi dụng bạc cầu đề kéo pháp trắc định dịch tương độ ấm TL hạ pha lê dính độ giá trị.

Dương thị mô lượng E là chỉ thông qua cộng hưởng pháp trắc định giá trị.

Bước sóng 300nm khi tử ngoại tuyến thấu bắn suất T là sử dụng song chùm tia sáng hình phân trống trơn độ kế, trắc định tương đối với bản hậu phương hướng bước sóng 300nm phân quang thấu bắn suất giá trị. Làm trắc định thí liêu, sử dụng bản hậu vì 0.7mm thả hai mặt nghiền nát thành quang học nghiền nát mặt ( kính mặt ) thí liêu. Cần nói rõ chính là, thông qua AFM, trắc định nên đánh giá thí liêu số học mặt ngoài thô ráp độ Ra, kết quả ở trắc định khu vực 10μm×10μm vì 0.5～1.0nm.

Từ biểu 1 có thể minh xác, thí liêu No.1～7 20～200℃ độ ấm trong phạm vi mặt bằng chung nhiệt hệ số giãn nở α

【 thực thi lệ 2】

Đầu tiên, dựa theo trở thành biểu 1 trung ghi lại thí liêu No.1～7 pha lê tạo thành phương thức, điều phối pha lê nguyên liệu sau, cung cấp đến pha lê nóng chảy lò ở 1500～1600℃ hạ nóng chảy, sau đó đem nóng chảy pha lê cung cấp đến tràn ra hạ kéo thành hình trang bị, dựa theo bản hậu trở thành 0.7mm phương thức phân biệt thành hình. Đối với đoạt được đến pha lê cơ bản, đối hai mặt ngoài tiến hành máy móc nghiền nát, đem bản hậu lệch lạc hạ thấp thấp hơn 1μm.

Ký hiệu thuyết minh

1, 27 dọn đưa thể

10, 26 chi thừa pha lê cơ bản

11, 24 gia công cơ bản

12 tróc tầng

13, 21, 25 dính tiếp tầng

20 chi thừa bộ kiện

22 chất bán dẫn chip

23 phong kín tài

28 hệ thống dây điện

29 hàn đột điểm