SOI

SOIToàn danh viSilicon On Insulator,Thị chỉTịch Điện tinh thểKết cấu tạiTuyệt duyên thểChi thượng đích ý tư, nguyên lý tựu thị tại tịch điện tinh thể chi gian, gia nhập tuyệt duyên thể vật chất, khả sử lưỡng giả chi gian đích ký sinhĐiện dungBỉ nguyên lai đích thiếu thượng nhất bội. Ưu điểm thị khả dĩ giác dịch đề thăngThời mạch,Tịnh giảm thiếuĐiện lưuLậu điện(Anh ngữ:Leakage (electronics))^[a]Thành vi tỉnh điện đích IC, tại chế trình thượng hoàn khả dĩ tỉnh lược bộ phânQuang tráoDĩ tiết tỉnh thành bổn, nhân thử bất luận tại chế trình thượng hoặc thị điện lộ thượng đô hữu kỳ ưu thế. Thử ngoại, tại SOI tinh viên ( SOI wafer ) bổn thân cơ bản đíchTrở khángTrị đích bộ phân dã hội ảnh hưởng đáo nguyên kiện đích biểu hiện, nhân thử hậu lai dã hữu công tư tại cơ bản thượng tiến hành trở kháng trị đích điều chỉnh, đạt đáo xạ tần nguyên kiện ( Radio frequency component, RF component ) đặc tính đích đề thăng. Nguyên bổn ứng thông quá giao hoán khí đíchĐiện tử,Hữu ta hội toản nhập tịch trung tạo thành lãng phí; SOI khả phòng chỉ điện tử lưu thất, dữ bổ cường nhất ta nguyên bổn Bulk wafer trung CMOS nguyên kiện đích khuyết điểm.Ma thác la lạpTuyên xưngTrung ương xử lý khíKhả nhân thử đề thăng thời mạch 20%, tịnh giảm đê háo điện 30%. Trừ thử chi ngoại, hoàn khả dĩ giảm thiếu nhất ta hữu hại đích điện khí hiệu ứng. Hoàn hữu nhất điểm, khả dĩ thuyết thị ngận đaSiêu tầnNgoạn gia sở cảm hưng thú đích, na tựu thị tha đích công tác ôn độ khả cao đạt 300°C, giảm thiếu quá nhiệt đích vấn đề.

SOI nhất khai thủy thị do mỹ thươngIBMCông tư đích tinh phiến bộ môn đầu nhập khai phát, tối tảo dụng ôMacintoshĐiện não ( MAC ) đíchPowerPC G4Xử lý khí, trừ liễu IBM ngoại, hoàn hữuMotorola,Đức châu nghi khí( TI ),NECĐẳng công tư đầu nhập SOI kỹ thuật đích khai phát công tác, đãn thịIntelCông tư cự tuyệt tại kỳ xử lý khí sản phẩm trung sử dụng SOI kỹ thuật, nhân vi kỳ nhận vi SOI kỹ thuật dung dịch ảnh hưởngTinh viênPhẩm chất dữ giảm đê điện tinh thể giao hoán tốc độ, tịnh thả SOI thượng tiếp hợp điểm dã hội giảm thiếu, dã tựu thị nhất bàn chế trình trung “Lậu điện(Anh ngữ:Leakage (electronics))”Đích khuyết điểm sở phiền não.

SOI hành nghiệp liên minh thị phụ trách thôi quảng SOI kỹ thuật, thành viên bao quát SOI kỹ thuật đích phát minh giả IBM cập nhất taBán đạo thểCông tư, lệ nhưAMDHòaNVIDIA,Nhi Intel tịnh vị gia nhập cai tổ chức^[1].

Sử dụng SOI kỹ thuật đích sản phẩm

IBM

Power 4
Power 5
Power 6
PowerPC G3
PowerPC 7400
Power PC

Sony

Cell

AMD

VIA

Tham khảo văn hiến

Cước chú

^Lậu điện lưu, leakage current, nhất bàn thị do điện lộ trung đích tạp tán ký sinh điện dung sở sản sinh, hội tạo thành ngạch ngoại đích công suất tiêu háo, nhi thả thị tại phi chính thường công tác mô thức hạ, sở sản sinh đích điện lưu; thông thường phân vi bán đạo thể nguyên kiện lậu điện lưu, điện nguyên lậu điện lưu, điện dung lậu điện lưu hòa lự ba khí lậu điện lưu đẳng, lánh ngoại,Á quắc trị điện lưuDã chúc chi.

Dẫn dụng

^NVIDIA gia nhập SOI tuyệt duyên khuê kỹ thuật hành nghiệp liên minh.[2008-08-04].( nguyên thủy nội dungTồn đươngVu 2008-07-31 ).

[漏電流-1] Lậu điện lưu, leakage current, nhất bàn thị do điện lộ trung đích tạp tán ký sinh điện dung sở sản sinh, hội tạo thành ngạch ngoại đích công suất tiêu háo, nhi thả thị tại phi chính thường công tác mô thức hạ, sở sản sinh đích điện lưu; thông thường phân vi bán đạo thể nguyên kiện lậu điện lưu, điện nguyên lậu điện lưu, điện dung lậu điện lưu hòa lự ba khí lậu điện lưu đẳng, lánh ngoại,Á quắc trị điện lưuDã chúc chi.

[2] NVIDIA gia nhập SOI tuyệt duyên khuê kỹ thuật hành nghiệp liên minh.[2008-08-04].( nguyên thủy nội dungTồn đươngVu 2008-07-31 ).

[a]

[1]