Sĩ lan vi (600460): Doanh thu liên tục đa quý độ đồng hoàn bỉ tăng trường thị tràng phân ngạch trì tục đề thăng

2Q24 công tư doanh thu đồng bỉ tăng trường 17%, liên tục 6 cá quý độ hoàn bỉ tăng trường. 2Q24 công tư sản phẩm xuất hóa lượng trì tục tăng gia, thật hiện doanh thu 28.1 ức nguyên ( YoY+17%, QoQ+14% ), do vu phân lập khí kiện giá động suất dữ sản phẩm giới cách đẳng nhân tố ảnh hưởng, khấu phi quy mẫu tịnh lợi nhuận -0.07 ức nguyên ( YoY-113.6%, QoQ-105.0% ), mao lợi suất 17.96% ( YoY-4.55ct, QoQ-4.14pct); thử ngoại do vu công tư trì hữu dục năng khoa kỹ, an lộ khoa kỹ cổ phiếu, kỳ công duẫn giới trị biến động ảnh hưởng công tư quy mẫu tịnh lợi nhuận.

1H24 tập thành điện lộ đồng bỉ tăng trường 29%, IPM mô khối cập điện lộ sản phẩm xuất hóa lượng gia khoái. 1H24 công tư tập thành điện lộ doanh thu thật hiện 20.35 ức nguyên (YoY+29%), mao lợi suất 31.12%(YoY+0.42pct), ưu thế sản phẩm IPM mô khối doanh thu vi 14.13 ức nguyên ( YoY+50% ), bạch điện lĩnh vực xuất hóa lượng siêu 8300 vạn khỏa, đồng bỉ tăng gia 56%; MEMS doanh thu 1.15 ức nguyên, thụ truyện cảm khí giới cách hạ hàng ảnh hưởng doanh thu đoản kỳ hồi lạc nhi xuất hóa lượng thật hiện đồng bỉ tăng trường 8%, công tư gia tốc độ kế quốc nội thị chiêm suất đạt 20%-30%, IMU hoạch đa gia quốc nội trí năng thủ cơ hán thương phê lượng đính đan, dự kế hạ bán niên xuất hóa lượng tương đại phúc độ tăng gia; thử ngoại, 32 vị MCU doanh thu đồng bỉ tăng trường ước 28%, phối hợp công nghiệp dữ bạch điện khách hộ gia tốc thượng lượng. Sĩ lan tập khoa 12 anh thốn sản tuyến tương tiến hành xa quy cấp BCD điện lộ sản năng kiến thiết, tân tăng sản năng dự kế tại 1Q25 thích phóng.

1H24 phân lập khí kiện doanh thu đồng bỉ tăng trường 4%, khí xa sản phẩm khoái tốc thôi tiến. 1H24 phân lập khí kiện doanh thu vi 23.99 ức nguyên (YoY+4%), mao lợi suất 14.51%(YoY-9.42pct), tẫn quản thụ sản phẩm giới cách dữ sản tuyến giá động suất ảnh hưởng mao lợi suất hạ hàng, sản phẩm kết cấu trì tục ưu hóa: Công tư IGBT hòa SiC thu nhập đạt đáo 7.83 ức nguyên, đồng bỉ tăng siêu 30%, công tư IGBT chủ khu mô khối tại bỉ á địch, cát lợi, linh bào, quảng khí, hối xuyên, đông phong, trường an đẳng quốc nội ngoại đa gia khách hộ thật hiện phê lượng cung hóa, xa quy IGBT đan quản dữ MOS đẳng sản phẩm đại phê lượng xuất hóa.

Thán hóa khuê chủ khu mô khối dĩ phê lượng giao phó, thán hóa khuê sản năng trì tục thích phóng. Sĩ lan minh gia 6 anh thốn SiC MOS tâm phiến sản năng đạt 6000 phiến / nguyệt, dự kế tam quý độ mạt sản năng tương đạt đáo 9000 phiến / nguyệt, 24 niên niên để sản năng tương đạt đáo 12000 phiến / nguyệt. Cơ vu tự chủ nghiên phát đích Ⅱ đại SiC MOSFET tâm phiến khí xa chủ khu mô khối dĩ thông quá cát lợi, hối xuyên đẳng khách hộ nghiệm chứng, tịnh khai thủy phê lượng sinh sản hòa giao phó; đệ Ⅲ đại bình diện sách SiCMOSFET kỹ thuật đích khai phát dĩ sơ bộ hoàn thành.

Đầu tư kiến nghị: Do vu công tư trì hữu dục năng khoa kỹ, an lộ khoa kỹ cổ phiếu, kỳ giới cách ba động đối công tư quy mẫu tịnh lợi nhuận ảnh hưởng giác đại, 1H24 kỳ công duẫn giới trị biến động -1.62 ức nguyên; thử ngoại do vu phân lập khí kiện sản phẩm giới cách hạ điệt, 1H24 mao lợi suất đê vu ngã môn thử tiền dự kỳ; kết hợp công tư phân lập khí kiện đương tiền sản phẩm mao lợi suất, hạ điều bình quân mao lợi suất, dự kế 24-26 niên quy mẫu tịnh lợi nhuận 0.88/3.52/6.11 ức nguyên ( tiền trị 3.18/5.47/7.29 ức nguyên ), đối ứng PB 2.7/2.6/2.5x, duy trì “Ưu vu đại thị” bình cấp.

Phong hiểm đề kỳ: Thán hóa khuê thác triển bất cập dự kỳ, hạ du nhu cầu bất cập dự kỳ.