従 lai の siêu tiểu hình điện tử パッケージモールドの lãnh khước に gia えて, より yếu cầu の nghiêm しいアプリケーションには, bán đạo thể レーザダイオードとベースの đồng /タングステンまたはタングステン - đồng kim chúc マトリックス phục hợp ( MMC ) をマウント xuất hiện しています. Hiện tại, ほとんどのは, ヒートシンクまたはWCUからなる bán đạo thể レーザダイオードを thủ り phó け thiết trí します. Tuyển 択の đồng タングステンレーザダイオード bao trang tài liêu で tác られたチップサイズ cập び tiêu phí điện lực yếu kiện を tăng gia させる, hiện tại の khuynh hướng と tương まってヒートシンクとモールドとの gian の nhiệt bành trương の nhất trí を cải thiện しました. 1000ミクロンよりも đại きいが, nhậm ý の phương hướng に, これは đặc にそうです. Đồng /タングステンは, tất yếu な nhiệt phóng tán との lương hảo な nhiệt bành trương の nhất trí を đề cung します. レーザダイオードの nhất bộ は trực tiếp, cao thuần độ đồng toan tố ラジカル, ベリリウム, または trất hóa アルミニウムセラミック cơ bản, さらにはダイヤモンド cơ bản thượng に thật trang されています.
Tân しいタングステン đồng ヒートシンクベースを chế tạo する bán đạo thể レーザパワーの ba trường の lợi ích のほとんどは, 800 1550ナノメートルの phạm 囲 nội の tính năng を hướng thượng させます. アプリケーションは, y học, khoa học nghiên cứu, quang ファイバ thông tín võng に cơ づいて, などが cử げられます.
ルールの変 canh

Nhất bàn đích に, nhiệt vân đạo, bán đạo thể ダイオードの chế tạo のW 170との gian cập び220に thiết けられた điện tử パッケージングタングステン đồng シートは, nhiệt bành trương hệ sổ を đê giảm / mKでは tử vong ( 5.6から9.0 PPM /℃ ) と nhất trí します. レーザ hình thông thường ベース tì tố ( GaAs ) cơ bản は, lệ えば, phân tử tuyến エピタキシー hựu は kim chúc hữu cơ hóa học khí tương đôi tích プロセスとして, sử dụng されています. Tối chung đích な hóa học tổ thành は, インジウムガリウム tì tố ( InGaAsの ), インジウムアルミニウムガリウムヒ tố ( のInAlGaAsの ), アルミニウムガリウム tì tố ( AlGaAs bội ), インジウムガリウムヒ tố リン ( InGaAsPのの ), リン hóa インジウム, またはを hàm んでいてもよいですガリウム・インジウム ( InGaPから ). Tối cận, trất hóa インジウムガリウム ( InGaN ) bán đạo thể レーザは, LAN Baoshi cập び quá thành trường hoành trất hóa ガリウムエピタキシャル tằng との gian に sử dụng されてきたランBaoshi cơ bản の kết tinh cách tử を chế tạo することができると nhất trí します.

NNコーニングSU TA hình によって dị なるプロセスに dị なる đồng ベークライトーSUテンシロン áp súc kỹ thuật. Dị なる đồng タングステン ( WCU ) マウントが hữu hạn の cảnh giới trị giải pháp を dụng いてモデル hóa した. ハイエンド tính năng と160-W / mKでタングステン đồng tài liêu ( nhiệt vân đạo suất = 398 W / MK ) を dụng いて, cao thuần độ の đồng ベースラインの tính năng bỉ. Nhiệt để kháng を đê giảm することに cơ づいて19.1％の cải thiện, そして đắc られた200-W / mKの tài liêu. 47.54パーセントから ước 320 W / mK dĩ thượng の tài liêu の cơ năng câu phối, 56.88パーセントが đề cung され, そして tiêu chuẩn đích な tài liêu に đối する cải lương も cao い tiếp hợp bộ ôn độ で hoàn nguyên されます.

Kỹ thuật の phát triển を xúc tiến するために, khuynh tà cơ năng tài liêu ( khuynh tà cơ năng tài liêu ) を sử dụng して, tính năng エンベロープの ước 320 W / mKの nhiệt vân đạo suất レベルの đồng /タングステン. Đồng の nhiệt vân đạo suất と bỉ giác して, このレベルの tính năng. プログラムの nhất bàn đích な sử dụng は, タングステン cập び đồng の tài liêu の nhiệt vân đạo suất です.

あなたは, タングステン đồng hợp kim chế phẩm についてのお vấn い hợp わせやフィードバックがありましたら, お khí khinh にお vấn い hợp わせください:
ポスト:[email protected]
Điện thoại: +86 592 5129696; +86 592 5129595
ファックス: +86 592 5129797

Tường しい tình báo: タングステン đồng タングステンの đồng hợp kim