タングステン - đồng hợp kim の chế tạo >>
タングステン đồng hợp kim điện cực >>
Điện tử パッケージングシートのタングステン đồng hợp kim >>
タングステン đồng hợp kim コンタクト>>

タングステン, đồng, đạo điện tính thí nghiệm

それはサンプルの để kháng trị の kỉ hà học đích hình trạng cập び để kháng suất に cơ づいて toán xuất することができるようにNN SU TAテンシロンコーニング, đồng は, thật nghiệm thí liêu における đạo thông để kháng thí nghiệm を thật tế に trắc định されます. Đa くの để kháng trắc định phương pháp は, thí liêu の để kháng の đại きさ, tinh độ, および đặc định の điều kiện の dị なる phương pháp に従って tuyển 択されるべきです. Đê い tinh độ であれば, nhất bàn に, マルチメータ, およびデジタル để kháng kế ボルタンメトリー trắc định をメガー, および10-6〜102Ω kim chúc および hợp kim ( lệ えば, để kháng の tinh độ または cao để kháng tài liêu dụng trị ) を trắc định し, それは, より chính xác な trắc định でなければなりません. Tiền ký phương pháp は, dĩ hạ を hàm みます:

1, ダブルブリッジ pháp
ブリッジ hồi lộ における kí tri の lượng に ứng じて trắc định される bỉ giác trang trí の để kháng を trắc định するためのDCブリッジは, đắc られた trắc định kết quả を bỉ giác します. Cao cảm độ, tinh độ, cao い nhu nhuyễn tính を hữu するブリッジので, quảng く sử dụng されています. ホイートストンブリッジ hồi lộ リード tuyến để kháng と tiếp xúc để kháng は, nhất bàn に, trừ khứ することができないため, ước 10 -5〜10-2Ω, đê để kháng の trắc định における đại きな ngộ soa の phó gia đích な để kháng. したがって, ホイートストンブリッジは, 102〜106Ωの để kháng を trắc định するためにのみ thích しています.
Dĩ hạ に kỳ す phương pháp の nguyên lý を trắc định するダブルブリッジ:

ダブルブリッジ法絵

2, DCシリコーンポリスターテンシロン trắc định tân văn メーTA
Khởi điện lực hựu は bổ thường の nguyên lý に従って tác られた trang trí の điện vị soa を trắc định するためのDC điện vị soa kế. Cao い trắc định tinh độ は, まだ tiềm tại đích な vi い, tinh mật ポテンショメータの tiềm tại đích 10-7Vの tiểu さな chỉ tiêu を trắc định する tối も chính xác な lặc khí の nhất つです. Thích thiết な kiểm tri hồi lộ は, さらに tẩy luyện された điện lưu, để kháng, điện lực, đẳng を hữu することができだけでなく, khởi điện lực との điện vị soa hồi lộ の cao tinh độ trắc định,
シリコーンDCポリスターテンシロン trắc định tân văn メー dĩ hạ に kỳ すように, TA:

直流ポテンショメータ測定絵

Đồ 3に kỳ すように, trực lưu tứ tham châm pháp
Trực lưu tứ tham châm pháp により, bán đạo thể tài liêu の để kháng suất は, nhất bàn に, 4つの điện cực trắc định と hô ばれます. Đồ に kỳ すように, phối tuyến trang trí は, thí liêu に sử dụng しました. 4つの kim chúc tiếp điểm が, thí nghiệm プローブと thí liêu の biểu diện, この đồ から phân かるように, ngoại trắc の2つの1,4- điện lưu プローブは, 2 cá の nội bộ điện áp プローブ2および3で trắc định されます. Tứ hồi の đoan tử trắc định が đẳng gian cách trực tuyến trạng に phối trí されない tràng hợp があり, điện lưu nguyên からの nhập lực điện lưu が cao インピーダンス điện vị kế が, mVの điện tử điện áp kế で trắc định し, tiểu さな nội áp がサンプルをドロップ khả năng trị 2,32 ( V IN ) プローブの điện áp U23の gian です.

DC4探針法絵

あなたは, タングステン đồng hợp kim chế phẩm についてのお vấn い hợp わせやフィードバックがありましたら, お khí khinh にお vấn い hợp わせください:
ポスト:[email protected]
Điện thoại: +86 592 5129696; +86 592 5129595
ファックス: +86 592 5129797

Tường しい tình báo:  タングステン đồngタングステンの đồng hợp kim